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FOPLP技術原理
扇出型面板級封裝(FOPLP)是基于重新布線層(RDL)工藝的創新技術,通過將多個芯片、無源元件集成在大尺寸矩形基板(如510mm×515mm或600mm×600mm)上實現高密度互連。相比傳統晶圓級封裝(FOWLP),其面積利用率從85%提升至95%,邊緣無效區域減少,顯著提高生產效率。
核心優勢
成本效益:通過大尺寸面板并行封裝,單位芯片成本降低66%(對比300mm晶圓級封裝);
高集成度:支持多芯片異構集成,提升AI芯片帶寬和算力密度,滿足D2D互連需求;
散熱優化:大面積基板改善熱傳導性能,適配高功耗AI/HPC芯片;
靈活設計:兼容玻璃、PCB等非硅基板,適應多樣化芯片架構迭代。
AI芯片領域應用
頭部廠商布局:英偉達計劃2025年將GB200芯片導入FOPLP以緩解CoWoS產能瓶頸;臺積電、三星、英特爾同步研發矩形基板封裝技術,預計2028年實現規模化。
性能需求驅動:單顆B200 AI芯片需16套CoWoS封裝,而FOPLP可提升3倍封裝密度,支撐算力集群擴展。
產業鏈成熟度
上游設備/材料:需突破大尺寸面板光刻膠涂覆、翹曲控制等技術瓶頸,設備商如芯碁微裝、材料企業沃格光電加速配套;
封裝廠商:國內華天科技通過盤古半導體項目布局FOPLP晶圓廠,2025年量產;長電科技、通富微電聚焦2.5D/3D集成技術協同。
當前瓶頸
良率與標準化:大尺寸面板良率低于晶圓級工藝,且缺乏統一封裝標準;
熱管理復雜度:多芯片集成需優化散熱方案,避免性能衰減。
未來趨勢
技術融合:與硅光子、混合鍵合結合,推動CPO(共封裝光學)在AI數據中心的應用;
市場規模:Yole預測FOPLP市場2028年達2.21億美元,復合增長率32.5%,主要增長來自AI/HPC和汽車電子。
FOPLP憑借成本與效率優勢,正成為AI芯片封裝的主流方向。建議關注:
技術突破企業:如華天科技(量產進度)、臺積電(技術迭代);
國產替代機會:封裝設備(芯碁微裝)、材料(華海誠科)等環節。
需警惕良率爬坡不及預期、行業競爭加劇等風險。
AI芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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