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微電子封裝芯片互連技術是實現芯片與基板、芯片與芯片之間電氣連接的核心工藝。根據搜索結果,當前主流技術包括引線鍵合(WB)、倒裝芯片(FCB)、載帶自動焊(TAB)、硅通孔(TSV)及混合鍵合等,以下從技術原理、工藝流程及優缺點等方面展開詳細解析:
技術原理:通過金屬細絲(金、鋁或銅線)將芯片焊區與基板焊盤連接,利用熱、壓力和超聲波能量實現冶金結合。
工藝分類:
熱壓鍵合:加熱加壓使金屬絲與焊區接觸面原子擴散形成鍵合,適用于金絲鍵合(球形鍵合)。
超聲鍵合:通過超聲振動破壞氧化層并促進金屬塑性變形,適用于鋁絲鍵合(楔形鍵合)。
金絲球鍵合:結合熱超聲波能量,先熔化金屬絲形成球形端,再與焊區鍵合,廣泛用于高可靠性場景。
優缺點:
優點:成本低、工藝成熟,適用于低密度封裝(如QFP、CSP)。
缺點:引線長度限制高頻性能,易受電磁干擾,不適用于高密度互連。
應用領域:移動設備中的DRAM、NAND芯片封裝。
技術原理:將芯片倒置,通過焊球(如錫鉛、無鉛焊料)直接連接芯片與基板,縮短電氣路徑。
工藝流程:
芯片凸點制作(電鍍、置球法等)。
芯片與基板對準并回流焊,形成可靠電氣連接。
優缺點:
優點:高I/O密度、高頻性能優異,散熱效果優于引線鍵合。
缺點:凸塊間距受焊料限制(傳統工藝難以低于10μm),需底部填充材料緩解熱應力。
應用領域:CPU、GPU、高速DRAM封裝。
技術原理:利用預置金屬引線圖形的柔性載帶(如聚酰亞胺基材),通過熱壓或超聲波實現芯片與載帶的互連。
工藝流程:
芯片凸點制作(UBM層+焊料凸點)。
載帶與芯片對準并內引線鍵合(ILB),再外引線鍵合(OLB)至基板。
優缺點:
優點:引線間距更小(可達50μm),電感低,適合高密度封裝。
缺點:載帶成本高,工藝復雜度高于引線鍵合。
應用領域:高密度存儲器、邏輯芯片封裝。
技術原理:在硅芯片上刻蝕通孔并填充導電材料(如銅),實現芯片垂直堆疊互連。
工藝流程:
深反應離子刻蝕(DRIE)形成通孔。
絕緣層沉積與銅填充(電鍍)。
微凸塊制作與堆疊封裝(如HBM內存)。
優缺點:
優點:突破平面互連限制,支持多層堆疊(如SK海力士12層HBM3)。
缺點:制造復雜度高,需解決熱應力與信號完整性問題。
應用領域:高帶寬存儲器(HBM)、3D封裝。
技術原理:同時實現氧化物界面鍵合與銅-銅直接鍵合,無需傳統焊料凸塊。
工藝特點:
無焊料鍵合:減少鍵合層厚度,降低電阻。
銅間距突破:凸塊間距可縮小至1μm以下,支持更高密度互連。
優缺點:
優點:優異的電學性能與散熱能力,適用于Chiplet異構集成。
缺點:對表面平整度與對準精度要求極高,工藝成本高。
應用領域:高性能計算(HPC)、AI芯片封裝。
技術類型 | 互連密度 | 工藝復雜度 | 成本 | 典型應用場景 |
引線鍵合 | 低 | 低 | 低 | 移動設備、低速存儲器 |
倒裝芯片 | 中 | 中 | 中 | CPU、GPU |
載帶自動焊 | 中高 | 中高 | 高 | 高密度存儲器 |
硅通孔(TSV) | 高 | 高 | 高 | 3D封裝、HBM |
混合鍵合 | 極高 | 極高 | 極高 | Chiplet、異構集成 |
未來趨勢:
Chiplet技術驅動:混合鍵合與TSV技術將進一步融合,推動低成本異構集成。
材料創新:功率超聲輔助的納米燒結技術可實現低溫連接與高溫服役,解決第三代半導體(如SiC)封裝難題。
工藝優化:SK海力士的MR-MUF工藝通過大規模回流模塑底部填充,提升堆疊效率與可靠性。
以上技術均基于搜索結果中的具體工藝參數與案例,涵蓋了當前微電子封裝領域的核心互連技術及其發展方向。
微電子封裝芯片封裝清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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