因為專業(yè)
所以領(lǐng)先
傳統(tǒng)和先進封裝的半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線工藝流程存在明顯區(qū)別,以下為你詳細介紹:
傳統(tǒng)封裝概念從最初的三極管直插時期后開始產(chǎn)生,其過程主要如下 :
切割晶粒:將晶圓切割為晶粒(Die)。
晶粒貼合:使晶粒貼合到相應(yīng)的基板架的小島(Leadframe Pad)上。
導(dǎo)線連接:利用導(dǎo)線將晶片的接合焊盤與基板的引腳相連(Wire Bond),實現(xiàn)連接。
外殼保護:用外殼加以保護(Mold,或 Encapsulation),典型封裝方式有 DIP、SOP、TSOP、QFP 等。
先進封裝主要包括倒裝類(Flip Chip,Bumping),晶圓級封裝(WLCSP,F(xiàn)OWLP,PLP),2.5D 封裝(Interposer)和 3D 封裝(TSV)等。以倒裝芯片(Flip Chip)和晶圓級封裝為例,其工藝流程如下 :
倒裝芯片(Flip Chip)
UBM 觸墊制造:當芯片制作工序完成后,制造 UBM(Under bump metallization)觸墊,用于實現(xiàn)芯片和電路的連接。
焊料凸點淀積:將焊料凸點(Bumping)淀積于觸點之上,焊錫球(Solder ball)是最常見的 Bumping 材料,也可根據(jù)不同需求選擇金、銀、銅、鈷等,對于高密度的互聯(lián)及細間距的應(yīng)用,銅柱是一種新型材料。
芯片倒裝互聯(lián):將芯片有源區(qū)面對著基板,通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現(xiàn)芯片與襯底的互聯(lián),硅片直接以倒扣方式安裝到從硅片向四周引出 I/O。
晶圓級封裝:產(chǎn)品生產(chǎn)以圓片形式批量生產(chǎn),可以利用現(xiàn)有的晶圓制備設(shè)備,封裝設(shè)計可以與芯片設(shè)計一次進行,縮短設(shè)計和生產(chǎn)周期,降低成本。
連接方式:傳統(tǒng)封裝采用導(dǎo)線鍵合(Wire Bond)方式實現(xiàn)晶粒與基板引腳的連接;而先進封裝的倒裝芯片(Flip Chip)則是通過芯片上的焊料凸點實現(xiàn)芯片與襯底的互聯(lián),互聯(lián)長度大大縮短 。
生產(chǎn)形式:傳統(tǒng)封裝是將晶圓切割成單個晶粒后再進行后續(xù)封裝步驟;晶圓級封裝這類先進封裝技術(shù)則是以圓片形式批量生產(chǎn),可與芯片設(shè)計同步進行,提高了設(shè)計和生產(chǎn)效率 。
技術(shù)復(fù)雜度:先進封裝技術(shù)更為復(fù)雜和多樣化,除了倒裝芯片和晶圓級封裝,還包括 2.5D 封裝、3D 封裝等,這些技術(shù)旨在實現(xiàn)更高密度的集成和更好的性能;傳統(tǒng)封裝技術(shù)相對較為基礎(chǔ)和常規(guī) 。
芯片封裝清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。
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