半導體封裝技術經過多年發展，已形成復雜的細分市場和多樣化技術體系。根據材料、工藝和應用場景的不同，可將其分為以下幾大類別，并重點解析主流技術：

一、按封裝工藝結構分類

1. 引線框架封裝

• 主流技術：DIP（雙列直插式）、SOP（小外形封裝）、QFP（四邊扁平封裝）

• 特點：采用金屬引線框架作為基板，成本低但布線密度受限。例如SOP封裝多用于MOSFET等功率器件，QFP適合高引腳數邏輯芯片。

2. 基板封裝

• 主流技術：BGA（球柵陣列）、LGA（平面網格陣列）

• 特點：使用多層布線基板，支持高密度I/O（1000+引腳）和高頻信號傳輸。BGA通過底部焊球連接，占據消費電子和服務器芯片的主流地位。

3. 晶圓級封裝（WLCSP）

• 技術分支：扇入型（Fan-In）和扇出型（Fan-Out）

• 特點：直接在晶圓上完成封裝，尺寸接近裸片，適用于移動設備傳感器和射頻芯片。扇出型可突破芯片尺寸限制，實現異構集成。

二、按技術代際分類

1. 傳統封裝

• 代表技術：DIP、SOP、QFP

• 應用：占全球封裝產能的60%以上，主要用于中低端消費電子和分立器件。

2. 先進封裝

• 倒裝芯片（FC）：通過凸點（Bump）直接連接芯片與基板，提升散熱和電性能，應用于CPU、GPU等高性能芯片。

• 2.5D/3D封裝：采用硅通孔（TSV）和中介層技術實現芯片堆疊，如HBM顯存和AI加速芯片，帶寬提升5-10倍。

• 系統級封裝（SiP）：集成多個芯片于單一封裝，用于TWS耳機和可穿戴設備，縮短布線距離30%以上。

• 核心工藝：

三、按材料體系分類

1. 塑料封裝（占比90%）

• 材料：環氧模塑料（EMC）

• 優勢：成本低（$0.01?$0.01?0.1/unit），適用于消費類芯片。

2. 陶瓷封裝

• 技術：LTCC（低溫共燒陶瓷）、HTCC（高溫共燒陶瓷）

• 應用：航空航天和汽車電子領域，耐溫范圍-55℃~200℃。

3. 金屬封裝

• 結構：TO系列（如TO-220）

• 場景：大功率器件散熱，熱阻低于1℃/W。

四、主流封裝技術性能對比

五、技術發展趨勢

1. 異質集成：通過RDL（再布線層）和混合鍵合實現不同工藝節點的芯片集成，提升系統能效。

2. Chiplet技術：將大芯片拆分為模塊化小芯片，采用先進封裝重組，良率提升20%-30%。

3. 環保材料：無鉛焊料和生物降解塑料占比預計2025年達35%，降低碳足跡。

當前市場份額顯示，FC和BGA占先進封裝產值的65%以上，而WLCSP在移動設備滲透率超80%。隨著AI和5G需求爆發，2.5D/3D封裝年復合增長率達24%，成為技術競爭焦點。

先進封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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