國產(chǎn)智駕芯片的封裝工藝選擇和市場競爭態(tài)勢，是其技術演進和產(chǎn)業(yè)化水平的重要體現(xiàn)。下面我會為你梳理主要的封裝技術路徑，并分析當前的核心市場應用情況。

主要封裝工藝路徑

國產(chǎn)智駕芯片主要采用以下幾種封裝工藝，以滿足不同算力和集成度的需求：

1. FCBGA（倒裝芯片球柵格陣列）：這是在中低算力芯片（L2/L2+級）中應用最廣泛的封裝技術。它通過芯片有源面（正面）的微小微塊直接連接到封裝基板上，能提供更高的I/O密度、更短的互聯(lián)路徑（更好的電性能、更低的延遲和噪聲）以及更好的散熱性能1。目前主流的大算力自動駕駛芯片（如英偉達Orin、地平線征程5、黑芝麻A1000等）都采用這種基礎封裝形式1。國內(nèi)的封測龍頭企業(yè)如長電科技、華天科技等已具備國際一流的FCBGA制造能力，能提供高可靠性、高集成度的封裝解決方案。

   
   

2. 2.5D/3D 先進封裝：這已成為高性能智駕芯片（L3/L4級）的關鍵技術。2.5D封裝將多個芯片（如計算芯粒Chiplet、HBM內(nèi)存）并排放置在一個中介層（Interposer）上，通過硅通孔（TSV）或重布線層（RDL）實現(xiàn)芯片間高速互聯(lián)，核心用于集成高帶寬內(nèi)存（HBM）。3D封裝則進一步在垂直方向上堆疊芯片并通過TSV互連，集成度最高，能極大提升傳輸速率和能效，但目前主要用于存儲器堆疊1。寒武紀的思元系列、華為昇騰芯片、以及地平線新一代征程6芯片都采用了2.5D封裝技術。

3. 晶圓級封裝（WLP）：更多用于對尺寸要求苛刻的移動設備或較低算力的傳感器處理芯片。在主控ADAS芯片中，F(xiàn)an-Out（扇出型）晶圓級封裝可用于集成多個Die，是一種有潛力的技術，但目前不如2.5D普及。

   
   

4. Chiplet（芯粒）技術：這是一種設計方法論，而非單一的封裝工藝。它將大型SoC拆分成多個功能單一的“芯粒”，然后通過2.5D/3D等先進封裝技術集成1。這對于國產(chǎn)芯片意義重大：能提升良率、降低成本（大尺寸單片SoC良率低，分解成小芯粒可分別采用最合適的工藝節(jié)點），并是在無法全面獲得最先進EUV光刻機情況下，用相對成熟工藝組合出接近先進制程性能的戰(zhàn)略選擇。華為、寒武紀、北極雄芯等公司都在積極布局Chiplet技術。

下表概括了這些封裝技術的主要特點和應用場景：

核心市場應用情況

1. 市場規(guī)模與增長：中國是全球最大的智能汽車市場，主機廠和Tier1對國產(chǎn)芯片有強烈的替代需求和合作意愿1。地平線作為領軍企業(yè)，其征程系列芯片截至2025年8月底累計出貨量已突破1000萬套，成為中國首款且規(guī)模最大的車載智能芯片產(chǎn)品，市占率約32.4%，相當于國內(nèi)“每三臺智能車就有一臺搭載地平線方案”。

2. 不同級別自動駕駛的封裝需求：

• L2/L2+級（普及型ADAS）：算力要求通常在10-30 TOPS，更注重成本、功耗和可靠性1。FCBGA封裝因其技術成熟、供應鏈穩(wěn)定、成本可控而成為主流選擇，足以滿足泊車、自適應巡航、車道保持等功能1。代表芯片如地平線征程3、黑芝麻A1000（早期版本）、芯擎科技的“龍鷹一號”等均采用此類封裝。

• L3/L4級（高階智能駕駛）：算力要求躍升至100-1000+ TOPS，對內(nèi)存帶寬、互聯(lián)速度和散熱的要求極高。2.5D封裝集成HBM成為標配，因為沒有HBM提供的超高帶寬，大算力就無法有效釋放。地平線征程5/6、黑芝麻A2000、華為MDC平臺中的昇騰芯片等，都采用了2.5D封裝集成HBM。

• 艙駕一體：這是新趨勢，將智能座艙芯片和智能駕駛芯片的功能集成到一顆SoC中1。這對封裝技術提出了更高要求，需要集成更多不同功能、不同制程的芯粒（如CPU、GPU、NPU等），對Chiplet設計和異構集成能力要求極高，將是下一代封裝技術的核心應用場景。

3. 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與生態(tài)建設：國產(chǎn)智駕芯片的發(fā)展依賴于“設計-制造-封裝”全鏈條的協(xié)同。地平線等設計公司通過與車企、Tier1深度綁定，針對智能駕駛場景定制封裝方案。同時，通過開放BPU架構授權和工具鏈支持，吸引了超100家算法合作伙伴，形成覆蓋感知、規(guī)控、仿真的全棧開發(fā)生態(tài)，共同推動產(chǎn)業(yè)化落地。

 發(fā)展優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

• 優(yōu)勢：

• 市場需求強勁：中國智能汽車市場龐大，為國產(chǎn)芯片提供了寶貴的落地迭代機會。

• 政策支持：國家在集成電路產(chǎn)業(yè)和新能源汽車產(chǎn)業(yè)上有明確的戰(zhàn)略支持和政策引導。

• 技術快速突破：頭部廠商在設計能力和對先進封裝的應用上已經(jīng)與國際先進水平接軌。

• 封裝產(chǎn)業(yè)鏈相對成熟：國內(nèi)封測代工廠（OSAT）如長電科技、通富微電等已具備國際一流的先進封裝制造能力。

• 挑戰(zhàn)：

• 最先進制程受限：高端ADAS芯片需要7nm、5nm等先進制程，而大陸晶圓廠在先進制程上受到設備限制。

• 核心IP和EDA工具依賴：特別是在高速接口、HBM PHY等關鍵IP，以及支持3DIC先進封裝的EDA設計工具上，仍高度依賴國外公司。

• HBM等高端部件依賴進口：HBM內(nèi)存目前幾乎由三星、SK海力士和美光壟斷，是供應鏈上的一個潛在風險點。

• 生態(tài)系統(tǒng)和軟件棧構建：強大的軟件開發(fā)工具鏈、算法庫和完整的軟件棧是英偉達等的核心壁壘，國產(chǎn)芯片廠商需要長期投入和構建。

未來趨勢

1. Chiplet技術成為重要發(fā)展路徑：Chiplet技術能幫助國產(chǎn)芯片在設計上實現(xiàn)創(chuàng)新，通過異構集成提升性能，是應對先進制程限制、平衡性能與成本的核心設計理念。

2. 封裝技術與整車架構協(xié)同優(yōu)化：隨著“艙駕一體”等趨勢的發(fā)展，封裝技術需要與電子電氣架構深度融合，向更高集成度、更優(yōu)熱管理和更高互聯(lián)帶寬方向發(fā)展。

3. 供應鏈安全與自主可控：產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將持續(xù)加強合作，共同推動 Chiplet 標準建立、先進封裝材料研發(fā)、以及關鍵設備技術的突破，以提升供應鏈的韌性和安全水平。

 總結

國產(chǎn)智駕芯片已形成了以 FCBGA 滿足中低端市場、以 2.5D + HBM 進軍高端市場、并積極探索 Chiplet 等前沿技術的多元封裝工藝路徑。市場應用上，地平線等企業(yè)已實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，覆蓋從 L2 到 L4 的多種場景。

然而，要在全球競爭中取得更大優(yōu)勢，仍需在突破先進制程限制、強化核心IP自主化、構建更完善的軟件生態(tài)，以及確保高端部件供應鏈安全等方面持續(xù)努力。

希望以上信息能幫助你更好地了解國產(chǎn)智駕芯片的封裝工藝和市場情況。

國產(chǎn)智駕芯片清洗劑-合明科技芯片封裝前錫膏助焊劑清洗劑介紹：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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主營產(chǎn)品包括：集成電路與先進封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環(huán)保清洗設備、電子輔料等。

半導體技術應用節(jié)點：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗；晶圓級封裝；高密度SIP焊后清洗；功率電子清洗。