關(guān)于半導(dǎo)體行業(yè)“超越摩爾定律”和當(dāng)前制造工藝的問(wèn)題。這是一個(gè)非常核心且前沿的話(huà)題。

第一部分：什么是“超越摩爾定律”？

“超越摩爾定律” 是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要方向和理念，它并不是指“摩爾定律”失效了，而是指在繼續(xù)追求晶體管微縮（“延續(xù)摩爾”）的同時(shí)，通過(guò)其他技術(shù)路徑來(lái)提升芯片的整體性能和功能多樣性。

為了更好地理解，我們可以將其與“摩爾定律”進(jìn)行對(duì)比：

“超越摩爾”的主要技術(shù)路線包括：

1. 先進(jìn)封裝技術(shù)：這是“超越摩爾”最核心的領(lǐng)域。它不再只關(guān)注晶體管的縮小，而是關(guān)注如何把多個(gè)不同工藝、不同功能的芯片（如邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、模擬芯片、射頻芯片等）像搭積木一樣高效地封裝在一起。

• 代表技術(shù)：2.5D封裝（如臺(tái)積電的CoWoS）、3D封裝（如臺(tái)積電的SoIC）、扇出型封裝（InFO）、硅橋、芯片粒等。

• 好處：大幅縮短芯片間數(shù)據(jù)傳輸距離，提升帶寬和能效；可以混合搭配不同工藝的芯片，降低成本；實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更緊湊的系統(tǒng)。

2. 異質(zhì)集成：將基于不同材料（如硅、砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等）的器件集成到一起，充分發(fā)揮各自材料的優(yōu)勢(shì)。例如，將硅基邏輯芯片和化合物半導(dǎo)體射頻芯片集成，用于5G和射頻前端模塊。

3. 專(zhuān)用化與系統(tǒng)優(yōu)化：不再一味追求通用處理器的性能，而是為特定應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)專(zhuān)用芯片，如ASIC、FPGA、DPU等，通過(guò)硬件級(jí)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)極高的效率和性能。

總結(jié)來(lái)說(shuō)，“超越摩爾定律”意味著半導(dǎo)體行業(yè)從過(guò)去單純追求“制程微縮”的單一路線，轉(zhuǎn)向了“制程微縮”與“系統(tǒng)級(jí)集成與創(chuàng)新”并重的雙軌發(fā)展模式。

第二部分：目前全球半導(dǎo)體制造技術(shù)工藝有哪些？

半導(dǎo)體制造工藝非常復(fù)雜，可以從多個(gè)維度進(jìn)行分類(lèi)。這里主要從邏輯芯片的制程節(jié)點(diǎn)和特色工藝平臺(tái)兩個(gè)角度來(lái)介紹。

1. 先進(jìn)邏輯工藝（延續(xù)摩爾之路）

這是目前臺(tái)積電、三星、英特爾競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)，主要追求晶體管密度的不斷提升。目前已經(jīng)進(jìn)入納米以下時(shí)代，通常用“埃米”來(lái)稱(chēng)呼（1納米=10埃米）。

• 7nm / 6nm：目前是成熟的先進(jìn)制程，廣泛應(yīng)用于主流高端手機(jī)處理器、CPU、GPU等。

• 5nm / 4nm：目前是主流的旗艦制程。蘋(píng)果A15/A16、驍龍8 Gen 1/Gen 2等芯片均采用。首次大規(guī)模采用EUV光刻技術(shù)。

• 3nm：目前已進(jìn)入量產(chǎn)初期。蘋(píng)果A17 Pro芯片（iPhone 15 Pro）率先采用。三星和臺(tái)積電的3nm在晶體管結(jié)構(gòu)上有所不同（三星采用MBCFET，臺(tái)積電采用FinFlex）。

• 2nm（20埃米）：未來(lái)1-2年的焦點(diǎn)，預(yù)計(jì)2025年左右開(kāi)始量產(chǎn)。將是環(huán)柵晶體管的重大突破。

• 臺(tái)積電：計(jì)劃2025年量產(chǎn)N2工藝，采用納米片結(jié)構(gòu)。

• 三星：計(jì)劃2025年量產(chǎn)SF2工藝，同樣采用MBCFET（納米片結(jié)構(gòu)）。

• 英特爾：非常激進(jìn)，希望憑借Intel 20A（2nm等效，20埃米）和Intel 18A（1.8nm等效，18埃米）工藝在2024年重新奪回制程領(lǐng)先地位。其特點(diǎn)是率先引入RibbonFET（其環(huán)柵晶體管名稱(chēng)）和PowerVia（背面供電）兩大革命性技術(shù)。

2. 成熟和特色工藝（超越摩爾之路的基石）

并非所有芯片都需要最先進(jìn)的制程。許多芯片基于功能、成本和可靠性的考慮，采用成熟或特色工藝。

• 成熟制程：通常指28nm及以上的工藝。這是目前應(yīng)用最廣泛、需求最大的工藝平臺(tái)。廣泛應(yīng)用于：

• MCU、電源管理芯片、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、汽車(chē)電子等。

• 中國(guó)目前在這一領(lǐng)域大力投入，以解決“卡脖子”問(wèn)題。

• 特色工藝：為了滿(mǎn)足特定電學(xué)特性而開(kāi)發(fā)的工藝，不完全追求線寬縮小。

• 射頻工藝：用于制造5G、Wi-Fi等無(wú)線通信芯片。

• 高壓工藝：用于制造電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)芯片。

• 模擬/混合信號(hào)工藝：用于處理連續(xù)的模擬信號(hào)，如音頻放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。

• 嵌入式存儲(chǔ)工藝：將閃存等存儲(chǔ)器與邏輯電路集成在同一芯片上。

• MEMS工藝：用于制造微機(jī)電系統(tǒng)，如加速度計(jì)、陀螺儀、麥克風(fēng)等。

總結(jié)與現(xiàn)狀

全球半導(dǎo)體制造呈現(xiàn)出 “兩條腿走路” 的格局：

1. 一條腿（延續(xù)摩爾）：臺(tái)積電、三星、英特爾三巨頭在5nm、3nm、2nm等先進(jìn)制程上展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)，爭(zhēng)奪技術(shù)制高點(diǎn)和高端市場(chǎng)份額（如智能手機(jī)、高性能計(jì)算、AI加速器）。

2. 另一條腿（超越摩爾）：整個(gè)行業(yè)（包括上述巨頭和眾多其他廠商）在先進(jìn)封裝、異質(zhì)集成和成熟/特色工藝上持續(xù)創(chuàng)新，以滿(mǎn)足汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)等更廣闊市場(chǎng)對(duì)功能、成本和可靠性的多樣化需求。

對(duì)中國(guó)而言，在全力攻克先進(jìn)制程的同時(shí)，大力發(fā)展成熟制程和超越摩爾技術(shù)，是構(gòu)建自主可控半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)更為現(xiàn)實(shí)和急迫的路徑。

半導(dǎo)體芯片清洗劑--合明科技芯片封裝前錫膏助焊劑清洗劑介紹：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

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主營(yíng)產(chǎn)品包括：集成電路與先進(jìn)封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環(huán)保清洗設(shè)備、電子輔料等。

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