以下是對先進封裝技術中倒裝封裝（Flip Chip）工藝流程與核心優勢的全面解析，結合行業技術資料整理而成：

一、倒裝封裝工藝流程詳解

1. 凸點制作（Bumping）

• 金球凸點：熱超聲工藝，適用于低I/O密度芯片；

• 錫球凸點：回流焊工藝，間距40-50μm；

• 銅柱凸點：熱壓工藝，支持高密度I/O（間距40-10μm）。

• UBM沉積：在芯片焊盤（Alpad鋁墊層）上濺射/電鍍凸點下金屬化層（UBM），增強凸點附著力并提升導電/導熱性。

• 凸點形成：主流采用銅柱凸點（成本低、電/熱性能優），通過電鍍銅柱+錫帽，經回流焊形成"子彈頭"結構（如圖）。

• 凸點類型：

2. 對準與貼裝（Placement）

• 回流焊：芯片凸點蘸取助焊劑→精密貼裝設備對準基板焊盤→加熱熔融凸點實現連接→清洗殘留。

• 熱壓鍵合（TCB）：高精度相機對準，熱壓頭加壓加熱連接，解決高密度凸點（微凸點）的翹曲問題。

3. 底部填充（Underfill）

• 沿芯片邊緣注入填充膠，靠毛細作用滲入芯片與基板間隙；

• 固化后增強機械強度，吸收熱應力/機械應力，保護C4區域（焊球分布區）。

二、倒裝封裝的核心優勢

四大技術突破點：
① 電氣性能提升：縮短信號路徑，減少寄生電容/電感，提升高頻信號完整性；
② 散熱路徑優化：熱量通過凸點直傳基板，適用于高功率芯片；
③ 微型化基礎：支撐后續2.5D/3D堆疊（如μBump微凸點技術）；
④ 成本可控：銅柱凸點工藝成熟，性價比優于金凸點。

三、工藝演進與行業定位

• 中道工序地位：凸點制作介于晶圓制造（前道）與封裝測試（后道）之間，與TSV/RDL并稱先進封裝核心中道技術。

• 技術迭代方向：
  球柵陣列焊球（BGA） → FC凸點 → 微凸點（μBump）→ 混合鍵合（Hybrid Bonding）。

四、先進封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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