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中國和外國電子封裝技術發展現狀及趨勢分析
電子封裝技術是半導體產業鏈的關鍵環節,連接芯片制造與終端應用,其核心是實現芯片的保護、互連、散熱及信號傳輸。當前,全球電子封裝技術正從傳統封裝向先進封裝(如2.5D/3D封裝、扇出型封裝、晶圓級封裝(WLP)、系統級封裝(SiP))升級,以滿足5G、人工智能(AI)、高性能計算(HPC)等領域對高密度、高速度、低功耗、小尺寸的需求。
中國電子封裝產業近年來呈現技術突破加速、產業規模擴大、政策支持強化的特征,逐步從“跟隨者”向“參與者”轉變。
先進封裝技術取得關鍵突破
企業層面:長電科技、華天科技、甬矽電子等國內龍頭企業在2.5D/3D封裝(如硅通孔(TSV)、芯片堆疊)、扇出型封裝(Fan-Out)、晶圓級封裝(WLCSP)等領域持續突破。例如,齊力半導體2024年11月啟用的紹興先進封裝項目(一期),建成年產200萬顆大尺寸AI芯片Chiplet封裝生產線,可實現GPU、CPU等高端芯片的先進封裝,且首批樣品交付提前一個多月,標志著中國在大尺寸、高算力芯片封裝領域的能力提升。
技術積累:國內企業已掌握倒裝芯片(Flip-Chip)、三維堆疊(3D Stacking)、系統級封裝(SiP)等核心技術,部分技術達到國際先進水平。例如,萬年芯作為“國家專精特新小巨人企業”,擁有134項國內專利,其高端封裝測試生產線可提供多樣化解決方案,滿足不同客戶需求。
政策與產業生態支持力度加大
政策層面:中國政府出臺《國家集成電路產業發展推進綱要》《集成電路產業發展基金》等政策,重點支持封裝測試產業的技術創新與產能擴張。例如,集成電路產業發展基金(大基金)多次投資長電科技、華天科技等企業,推動其先進封裝產能建設。
產業聯盟:國內組建了“集成電路封測產業鏈技術創新聯盟”,整合企業、高校、科研機構資源,聚焦高密度封裝技術(如TSV、圓片級三維再布線)、自主知識產權封裝(如SPFN)等領域的研發,提升產業鏈協同效應。
市場規模快速增長
中國先進封裝市場規模呈現高速增長態勢,預計2025年將達到1137億元人民幣,占全球市場份額逐步提升。這一增長主要受益于國內5G、AI、IoT等產業的需求拉動,以及境外封裝產能向中國轉移(如臺積電、英特爾等企業在華建廠)。
外國電子封裝技術以美國、中國臺灣、韓國為核心,憑借技術積累與產業生態優勢,占據全球高端封裝市場的主導地位。
美國:政策驅動與技術引領
政策支持:2024年11月,美國拜登政府宣布向佐治亞州、加利福尼亞州、亞利桑那州的先進封裝研究項目提供3億美元資助,重點推動先進基板技術(用于芯片集成的物理平臺)的研發,以減少對外國供應商的依賴。受資助機構包括Absolics(先進基板)、應用材料(封裝設備)、亞利桑那州立大學(科研)。
企業技術:英特爾、美光等美國企業在先進封裝領域處于領先地位。例如,英特爾的Foveros 3D封裝技術可實現芯片在垂直方向的堆疊,提高集成度與性能;美光專注于DRAM與邏輯設備的先進封裝,用于HPC與AI應用。
中國臺灣:臺積電的創新引領
臺積電(TSMC)作為全球半導體代工龍頭,其先進封裝技術(如CoWoS(基板上晶圓芯片)、SoIC(集成芯片系統))是芯片行業的關鍵支撐。臺積電在臺灣建立先進封裝供應鏈集群,聚焦3D IC、SiP、FOWLP(扇出晶圓級封裝)等技術,以滿足Apple、AMD、NVIDIA等大客戶對高算力芯片的需求。此外,臺積電與Amkor合作在亞利桑那州建立先進封裝工廠,符合美國CHIPS法案的要求。
全球市場格局
全球封裝市場規模持續增長,美國憑借技術與企業優勢占據領先地位,亞洲(中國、印度)則成為需求增長最快的地區。外國封裝企業(如英特爾、臺積電、三星)通過技術創新(如3D封裝、SiP)與產能擴張,維持其在高端封裝市場的競爭力。
隨著摩爾定律放緩(芯片特征尺寸接近物理極限),封裝技術成為提升芯片性能的關鍵。未來,中國與外國電子封裝技術將朝著先進化、集成化、綠色化方向發展,但各自的重點有所不同。
先進封裝技術深化
繼續推動2.5D/3D封裝(如TSV、芯片堆疊)、扇出型封裝(Fan-Out)、晶圓級封裝(WLP)等技術的產業化應用,重點解決高算力芯片(如GPU、CPU)的封裝問題。例如,齊力半導體的大尺寸AI芯片Chiplet封裝生產線將進一步擴大產能,滿足AI產業的需求。
產業鏈與生態完善
加強設計-制造-測試環節的協同,完善封裝產業鏈生態。例如,通過產業聯盟整合設計企業(如華為海思)、制造企業(如中芯國際)、封裝企業(如長電科技)的資源,推動定制化封裝解決方案的開發。
國際合作與競爭力提升
與全球領先企業(如臺積電、英特爾)、科研機構(如IEEE)開展技術交流與合作研發,提升國內企業的技術水平與創新能力。例如,長電科技與臺積電合作,引入其先進封裝技術,增強自身在高端封裝市場的競爭力。
應對市場需求變化
隨著5G、AI、IoT等產業的發展,市場對高性能、低功耗、小尺寸芯片的需求將持續增長。中國封裝企業將重點開發低功耗封裝(如SiP)、小尺寸封裝(如CSP)等技術,以滿足便攜式設備、智能終端的需求。
美國:先進基板與自主能力
重點發展先進基板技術(如高密度互連基板),以解決美國半導體行業的瓶頸(目前美國尚未具備生產先進基板的能力)。通過政策資助與企業研發,推動先進基板的產業化,減少對外國(如中國臺灣、韓國)的依賴。
中國臺灣:擴大封裝能力與技術創新
臺積電將進一步擴大先進封裝產能(如CoWoS、SoIC),以滿足Apple、AMD、NVIDIA等大客戶對高算力芯片的需求。同時,推動3D封裝與扇出晶圓技術的創新,減少AI驅動系統的物理空間要求。
全球共同趨勢
高密度集成:通過3D封裝、SiP等技術,實現更多功能的集成,提高芯片的性能與效率。
綠色環保:推動無鉛封裝(RoHS指令)、低功耗封裝等技術的應用,減少對環境的影響。
后摩爾時代的功能翻番:隨著摩爾定律放緩,封裝技術將成為實現“功能翻番”的關鍵,通過異構集成(如CPU+GPU+DRAM的集成)、3D集成等方式,提升芯片的性能。
中國電子封裝技術正處于快速發展期,通過政策支持、技術突破與市場擴張,逐步縮小與外國的差距;美國、中國臺灣省則憑借技術積累與產業生態優勢,維持其在高端封裝市場的主導地位。未來,先進封裝(如2.5D/3D、SiP、WLP)將成為全球電子封裝技術的核心方向,中國需加強技術創新與產業鏈協同,提升在高端封裝市場的競爭力,以滿足5G、AI等新興產業的需求。
電子封裝芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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