因為專業(yè)
所以領先
臨時鍵合與減薄:將堆疊晶圓通過臨時鍵合膜貼到載片上,對晶圓進行減薄處理,形成漏孔結(jié)構(gòu)以暴露焊盤。
鍵合與介質(zhì)層處理:底層晶圓與堆疊晶圓通過永久鍵合或混合鍵合技術(shù)結(jié)合,刻蝕表面介質(zhì)層暴露焊盤,并利用焊盤自掩膜效應進行精準刻蝕。
硅通孔(TSV)制作:采用Bosch工藝進行硅直孔刻蝕,直達下層焊盤位置,形成垂直互聯(lián)通道。
導電結(jié)構(gòu)填充:孔內(nèi)沉積介質(zhì)層后,通過PVD種子層和電鍍填銅工藝形成導電通路,實現(xiàn)多層芯片的電氣連接。
切割與封裝:使用樹脂軟刀和低溫水切割工藝分離芯片,控制切割應力避免分層;后續(xù)進行塑封、電鍍(鎳鈀金層)及激光打標。
粘片膜(DDF/FOW):用于超薄芯片堆疊,提供機械支撐并提高良品率。
銅填充工藝:TSV孔內(nèi)銅導電結(jié)構(gòu)降低電阻和電感,提升高頻性能。
熱膨脹系數(shù)(CTE)匹配:采用低CTE陶瓷基板或特殊塑封料,解決高溫循環(huán)下的焊點開裂問題。
切割應力控制:通過樹脂軟刀和優(yōu)化切割速度減少分層風險。
翹曲管理:選擇不同收縮率的塑封料匹配芯片尺寸,控制封裝翹曲。
散熱設計:底部焊盤結(jié)合PCB過孔陣列(4×4以上)提升熱傳導效率。
智能手機:用于電源管理芯片(PMIC)和射頻前端模塊(如高通SDR735),封裝厚度僅0.8mm。
TWS耳機:搭載低功耗藍牙SoC(如瑞芯微RK2206),待機電流低至5mW。
車載傳感器:胎壓監(jiān)測芯片(如NXP FXTH87)需抗振動設計,QFN封裝提供高可靠性。
ADAS系統(tǒng):多芯片堆疊封裝集成傳感器與處理單元,滿足功能安全要求。
5G基站:Massive MIMO射頻功放(如Qorvo QPA4501)采用WQFN封裝支持28GHz頻段。
工業(yè)PLC:高精度ADC芯片(如TI ADS131M08)通過QFN實現(xiàn)±0.1%測量精度。
便攜式監(jiān)護儀:血氧傳感器AFE(如ADI ADPDA188GG)采用超薄QFN(0.4mm厚度),支持低功耗運行。
多芯片封裝替代單芯片:2028年全球市場規(guī)模預計達120億美元,年均增長率12%。
先進封裝需求:系統(tǒng)級封裝(SiP)與Chiplet技術(shù)推動QFN在高性能計算(如Apple Watch S系列芯片)中的應用。
堆疊QFN封裝通過TSV互聯(lián)和先進切割工藝實現(xiàn)高密度集成,其核心應用覆蓋消費電子、汽車、工業(yè)通信及醫(yī)療領域。未來隨著5G、AI和IoT的快速發(fā)展,QFN在微型化、高散熱和高頻性能需求中的優(yōu)勢將進一步凸顯。
堆疊QFN封裝芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導,從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。
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