國產車規級SiC模塊技術發展及市場應用分析

一、技術發展現狀

1. 產業鏈垂直整合與工藝突破
   國內企業通過IDM模式（設計-制造-封裝一體化）實現全產業鏈布局，例如比亞迪半導體、中車時代半導體等覆蓋襯底、外延、芯片設計及封裝測試環節。技術工藝方面，國產廠商已實現銅線鍵合+銀燒結封裝、激光切割等先進工藝，提升模塊壽命和可靠性，部分產品通過車規級AQG324認證。

2. 芯片性能與產能提升
   方正微電子、浙江晶能等企業推出1200V SiC MOSFET模塊，性能對標國際主流水平。2024年國內SiC襯底產能達500萬片/年，價格僅為國際水平的40%，6英寸晶圓良率顯著提升，8英寸產線逐步投產。

3. 技術適配與系統優化
   國產SiC模塊通過高頻開關特性（40kHz以上）減少無源元件體積，系統級成本低于進口方案5%以上。例如，比亞迪1200V SiC模塊功率密度提升30%，支持800V高壓平臺。

二、市場應用進展

1. 新能源汽車領域主導地位
   國產SiC模塊在主驅逆變器、OBC（車載充電機）等場景加速滲透。2023年國內新增45款SiC車型，比亞迪、小鵬等車企采用國產SiC方案，2025年車規級SiC模塊在新能源汽車滲透率預計超30%。

2. 充電樁與V2G場景爆發
   深圳V2G實測驗證國產SiC模塊在雙向充電樁中的高效性，支持350kW快充及兆瓦級放電。2025年中國充電樁市場規模將突破1800億元，V2G充電樁占比提升至29.3%。

3. 政策與產業集群驅動
   國家《碳化硅功率器件測試標準》及地方鏈長制推動國產優先采購，2023年國產SiC器件在《汽車芯片推薦目錄》占比35%。深圳、無錫等地形成SiC產業集群，加速技術迭代。

三、挑戰與未來趨勢

1. 技術瓶頸與國際競爭
   國產SiC模塊在高溫穩定性、長期可靠性（如1000次溫度沖擊測試）及專利布局（2023年國內專利授權量增58%）仍需突破。國際廠商如英飛凌通過全球化布局和全材料體系（硅、SiC、GaN）維持優勢。

2. 未來發展方向

• 技術迭代：開發適配800-1200V高壓平臺的模塊，優化12英寸晶圓工藝，降低單位成本。

• 場景擴展：拓展至智能電網、低空經濟（如無人機電源）及工業領域，2030年全球SiC市場規模預計達19.8億美元。

• 全球化布局：通過綁定海外車企（如歐洲市場）及參與國際標準制定，打破外資技術壁壘。

四、總結

國產車規級SiC模塊通過技術突破、成本優化及政策支持，已在新能源汽車和充電樁領域實現規模化應用。未來需聚焦工藝創新、場景拓展及全球化戰略，以應對國際競爭并搶占全球70%的SiC產能優勢。

SiC模塊芯片清洗劑選擇：

·         水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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·         合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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