國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC模塊技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)應(yīng)用分析

一、技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

1. 產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合與工藝突破
   國(guó)內(nèi)企業(yè)通過(guò)IDM模式（設(shè)計(jì)-制造-封裝一體化）實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局，例如比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代半導(dǎo)體等覆蓋襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。技術(shù)工藝方面，國(guó)產(chǎn)廠商已實(shí)現(xiàn)銅線鍵合+銀燒結(jié)封裝、激光切割等先進(jìn)工藝，提升模塊壽命和可靠性，部分產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)AQG324認(rèn)證。

2. 芯片性能與產(chǎn)能提升
   方正微電子、浙江晶能等企業(yè)推出1200V SiC MOSFET模塊，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平。2024年國(guó)內(nèi)SiC襯底產(chǎn)能達(dá)500萬(wàn)片/年，價(jià)格僅為國(guó)際水平的40%，6英寸晶圓良率顯著提升，8英寸產(chǎn)線逐步投產(chǎn)。

3. 技術(shù)適配與系統(tǒng)優(yōu)化
   國(guó)產(chǎn)SiC模塊通過(guò)高頻開關(guān)特性（40kHz以上）減少無(wú)源元件體積，系統(tǒng)級(jí)成本低于進(jìn)口方案5%以上。例如，比亞迪1200V SiC模塊功率密度提升30%，支持800V高壓平臺(tái)。

二、市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)展

1. 新能源汽車領(lǐng)域主導(dǎo)地位
   國(guó)產(chǎn)SiC模塊在主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電機(jī)）等場(chǎng)景加速滲透。2023年國(guó)內(nèi)新增45款SiC車型，比亞迪、小鵬等車企采用國(guó)產(chǎn)SiC方案，2025年車規(guī)級(jí)SiC模塊在新能源汽車滲透率預(yù)計(jì)超30%。

2. 充電樁與V2G場(chǎng)景爆發(fā)
   深圳V2G實(shí)測(cè)驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)SiC模塊在雙向充電樁中的高效性，支持350kW快充及兆瓦級(jí)放電。2025年中國(guó)充電樁市場(chǎng)規(guī)模將突破1800億元，V2G充電樁占比提升至29.3%。

3. 政策與產(chǎn)業(yè)集群驅(qū)動(dòng)
   國(guó)家《碳化硅功率器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》及地方鏈長(zhǎng)制推動(dòng)國(guó)產(chǎn)優(yōu)先采購(gòu)，2023年國(guó)產(chǎn)SiC器件在《汽車芯片推薦目錄》占比35%。深圳、無(wú)錫等地形成SiC產(chǎn)業(yè)集群，加速技術(shù)迭代。

三、挑戰(zhàn)與未來(lái)趨勢(shì)

1. 技術(shù)瓶頸與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)
   國(guó)產(chǎn)SiC模塊在高溫穩(wěn)定性、長(zhǎng)期可靠性（如1000次溫度沖擊測(cè)試）及專利布局（2023年國(guó)內(nèi)專利授權(quán)量增58%）仍需突破。國(guó)際廠商如英飛凌通過(guò)全球化布局和全材料體系（硅、SiC、GaN）維持優(yōu)勢(shì)。

2. 未來(lái)發(fā)展方向

• 技術(shù)迭代：開發(fā)適配800-1200V高壓平臺(tái)的模塊，優(yōu)化12英寸晶圓工藝，降低單位成本。

• 場(chǎng)景擴(kuò)展：拓展至智能電網(wǎng)、低空經(jīng)濟(jì)（如無(wú)人機(jī)電源）及工業(yè)領(lǐng)域，2030年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)19.8億美元。

• 全球化布局：通過(guò)綁定海外車企（如歐洲市場(chǎng)）及參與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定，打破外資技術(shù)壁壘。

四、總結(jié)

國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC模塊通過(guò)技術(shù)突破、成本優(yōu)化及政策支持，已在新能源汽車和充電樁領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。未來(lái)需聚焦工藝創(chuàng)新、場(chǎng)景拓展及全球化戰(zhàn)略，以應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)并搶占全球70%的SiC產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。

SiC模塊芯片清洗劑選擇：

·         水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

·         合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

·         推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。