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汽車電子功率模塊芯片封裝技術與IGBT模塊清洗介紹

合明科技 ?? 2546 Tags:汽車電子功率模塊芯片封裝技術

汽車電子功率模塊芯片封裝技術是確保功率半導體(如IGBT、SiC MOSFET)在高溫、高振動、高可靠性要求的車載環境中穩定工作的關鍵。以下是主要技術路線的詳細分析:

image.png


1. 引線鍵合(Wire Bonding)

  • 技術特點:
    通過金屬線(鋁/銅線)連接芯片表面與基板電極,是傳統封裝的核心技術。

  • 優點:

    • 成本低,工藝成熟;

    • 適用于低功率密度場景。

  • 缺點:

    • 引線電感高,限制高頻性能;

    • 熱阻大,散熱效率低;

    • 機械強度差,易因溫度循環或振動失效。

  • 應用:
    早期IGBT模塊(如英飛凌EconoPACK)及低成本方案。


2. 雙面散熱(Double-Sided Cooling)

  • 技術特點:
    芯片上下表面均通過導熱材料(DBC基板或散熱片)直接散熱,提升熱管理能力。

  • 優點:

    • 散熱效率提高30%-50%,功率密度提升;

    • 減少芯片溫度波動,延長壽命。

  • 缺點:

    • 結構復雜,需高精度組裝;

    • 成本較高。

  • 應用:
    豐田普銳斯混合動力車逆變器模塊,采用SiC MOSFET的雙面冷卻設計。


3. 燒結技術(Sintering)

  • 材料:銀燒結膏(納米銀顆粒)替代傳統焊料。

  • 優點:

    • 導熱性提升3倍,降低熱阻;

    • 耐高溫(熔點>200°C),抗疲勞性優異;

    • 減少層間熱膨脹系數(CTE)失配問題。

  • 缺點:

    • 工藝復雜,需高壓高溫設備;

    • 材料成本高。

  • 應用:
    博世、電裝的高可靠性SiC模塊,如用于800V高壓平臺的驅動系統。

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4. 壓接式封裝(Press-Pack)

  • 技術特點:
    芯片通過機械壓力直接接觸電極,無焊接或引線。

  • 優點:

    • 無焊料疲勞,適合高功率循環場景;

    • 失效模式安全(短路而非開路)。

  • 缺點:

    • 結構復雜,需精密壓力控制;

    • 成本高,主要用于軌道交通或高壓領域。

  • 應用:
    三菱電機的HV-IGBT模塊,部分高端電動汽車試驗平臺。


5. 模塊化封裝(如HybridPACK、EasyPACK)

  • 技術特點:
    標準化模塊設計,集成驅動與保護功能,支持靈活擴展。

  • 代表方案:

    • 英飛凌HybridPACK Drive:專為電動汽車設計,支持SiC芯片,功率密度達30kW/L;

    • 賽米控SKiN:銅帶取代引線,降低電感,提升可靠性。

  • 優點:

    • 高集成度,簡化系統設計;

    • 兼容多芯片類型(IGBT/SiC)。

  • 應用:
    特斯拉Model 3的逆變器采用意法半導體的SiC模塊(基于類似技術)。


6. 嵌入式封裝(Embedded Die)

  • 技術特點:
    芯片嵌入PCB或陶瓷基板內部,通過銅柱或微孔連接。

  • 優點:

    • 寄生電感極低,適合高頻應用(如GaN器件);

    • 結構緊湊,抗振性強。

  • 缺點:

    • 工藝難度大,良率低;

    • 維修困難。

  • 應用:
    部分車載充電器(OBC)中的GaN功率模塊。


7. 三維封裝(3D Packaging)

  • 技術特點:
    垂直堆疊芯片,通過TSV(硅通孔)實現多層互聯。

  • 優點:

    • 大幅縮小體積,提升功率密度;

    • 優化信號傳輸路徑。

  • 挑戰:

    • 熱管理難度陡增;

    • 成本極高,尚未大規模商用。

  • 趨勢:
    未來可能用于集成驅動IC與功率芯片的智能功率模塊(IPM)。


8. 先進基板技術

  • DBC(直接鍵合銅基板):
    陶瓷(Al?O?/AlN)兩面覆銅,用于傳統功率模塊,但銅層易剝離。

  • AMB(活性金屬釬焊基板):
    使用氮化硅(Si?N?)陶瓷,結合強度更高,適用于高可靠性場景(如SiC模塊)。

  • 發展趨勢:
    新型復合材料基板(如石墨烯增強)進一步降低熱阻。


技術路線對比與趨勢

技術功率密度可靠性成本適用場景
引線鍵合傳統IGBT、低成本方案
雙面散熱高功率逆變器(如SiC)
燒結技術極高800V平臺、長壽命需求
模塊化封裝中-高中-高電動汽車主驅逆變器
壓接式極高高鐵、工業高壓應用

未來發展方向

  1. 材料創新:納米銀燒結、高導熱陶瓷(如AlN-SiC復合基板)。

  2. 集成化:驅動電路、傳感器與功率芯片的共封裝(如英飛凌的“CiM”技術)。

  3. 適配寬禁帶器件:優化SiC/GaN模塊的封裝結構,降低寄生參數。

  4. 智能化:集成溫度/電流傳感器,實現實時健康監測。


總結

汽車功率模塊封裝正從傳統引線鍵合向高密度、高可靠性技術(如雙面散熱、燒結)演進,同時模塊化設計與先進基板技術推動集成度提升。隨著電動汽車對高效能和小型化的需求,SiC/GaN器件的普及將進一步加速封裝技術創新。


IGBT功率器件芯片清洗劑選擇:

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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