不論是多復(fù)雜的封裝，從黑盒的角度來看其實現(xiàn)的基本功能都是一樣的，最簡單的就是封裝一個分立器件，給出幾個引腳；復(fù)雜一點想要封裝具有多個I/O接口的IC，以及多個IC一起封裝，在封裝的發(fā)展過程中也發(fā)展出了很多封裝類型和很多技術(shù)，比如扇出技術(shù)、扇入技術(shù)這些。這些概念和縮寫非常多，尤其是當談到先進封裝（Advanced Packaging）的時候，為了實現(xiàn)高密度集成以及快速信號傳輸這些需求，不得不在每一個地方都發(fā)展一些新的技術(shù)，很多情況下會把它們都并入到先進封裝技術(shù)里來介紹，這有時候會引起一些困惑，這里主要整理一下IC封裝里的互連技術(shù)。在IC封裝種幾種典型的互連技術(shù)包括引線鍵合（Wire Bonding，WB）、載帶自動焊（Tape-automated Bonding，TAB）、倒裝芯片（Flip Chip，F(xiàn)C）、晶圓級封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）、以及硅通孔（Through Silicon Via，TSV）。像模塊化設(shè)計一樣，同一種封裝類型中也可能采用不同的互連技術(shù)，比如常用在手機芯片里的BGA封裝有引線鍵合形式和倒裝形式，不同的互連技術(shù)也可能同時出現(xiàn)在一個復(fù)雜封裝中。

封裝互連技術(shù)

一、引線鍵合

引線鍵合是最經(jīng)典使用最廣泛的互連技術(shù)，使用金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量將金屬引線與基板焊盤緊密焊合，從而實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。

在GaN器件的封裝中，引線鍵合也是最常采用的互連技術(shù)。以GaN HEMTs的某個典型封裝為例，（Applied thermal engineering 51.1-2 (2013): 20-24.），內(nèi)部裸Die的部分就是連到一起的6組每組10個finger的GaN晶體管，共計60個晶體管構(gòu)成了一個多柵GaN器件。

通過引線鍵合，把這60個晶體管的柵極和漏極，統(tǒng)一連接到柵極pad和漏極pad上，這兩個pad再分別和左右兩邊的引腳相連，源極的部分和中間一整片引腳相連，最后封裝好后對外界體現(xiàn)出來的，就是一個三端子的HEMT黑盒，這種長著三個引腳的封裝形式稱為晶體管外形封裝（Transistor Outline，TO）。

中間的GaN Die部分，就是文章里常說的近結(jié)區(qū)域（Near-junction Region），整個GaN器件起到作用的部分就是這里。

二、載帶自動焊

從上面的動畫里也能看出來，引線鍵合必須對每一個觸點分別打線，效率比較低，一個改進的想法就是只操作一次，就能同時連好所有的線。TAB技術(shù)就是先根據(jù)裸片的I/O接口分布，制作一條特制的載帶，載帶可以被看成是最早的柔性電路，在有機薄膜上，裸片引腳的對應(yīng)位置提前加工好金屬比如銅引腳，然后只要把載帶貼到裸片上，一次性就實現(xiàn)了所有接口的連接。

三、倒裝芯片

像上面一樣，在標準封裝中，芯片正面朝上貼裝到基板上，通過線來將芯片與基板上對應(yīng)結(jié)點相連接。相對地，在倒裝技術(shù)中，不再通過連線實現(xiàn)裸片和基板的相連，而是將裸片倒過來放置，通過金屬焊球直接實現(xiàn)連接，這種方案減小了信號傳輸?shù)木嚯x，提高了信號傳輸速度。

倒裝對傳熱也有一定的幫助（Applied Physics Letters* 119.17 (2021): 170501.），傳統(tǒng)封裝是把襯底貼到封裝上，這時候下部的導(dǎo)熱路徑太長，上部的導(dǎo)熱路徑太短，把裸片倒過來放，讓下面貼到封裝上，把襯底放到上面，下面可以繼續(xù)加一些熱泵或者塞一些高熱導(dǎo)率的填充物把熱點連到擴熱板上，上方的襯底也可以換成高熱導(dǎo)率材料，這時候兩條路徑都可以實現(xiàn)熱量輸運。

四、晶圓級封裝

晶圓級封裝實際上是一種封裝類型，但是為了互連，封裝中存在重布線層（Redistribution Layer），通過焊球進行連接。在潔凈室的IC制造分為兩道工序，前道工序（Front End of Line，F(xiàn)EOL）負責形成CMOS晶體管結(jié)構(gòu)，在金屬互連層沉積之前的工序都可歸為FEOL；在晶體管結(jié)構(gòu)加工完畢了，需要進行金屬布線來給晶體管進行供電并實現(xiàn)信息交換，這部分屬于后道工序（Back End of Line，BEOL）。在后道工序結(jié)束后，把做好的晶圓交給封測廠，封測廠進行晶圓測試，把晶圓切割成單個芯片，然后再進行對每一個芯片進行單獨封裝，這部分工序一般稱為（back-end process，or post-fab）。fab就是fabrication的縮寫，IC fabrication，在集成電路領(lǐng)域fab指的就是晶圓廠，post-fab，就是晶圓廠之后的事了。晶圓級封裝就是在晶圓的狀態(tài)就對芯片進行封裝，封裝好了以后再切割成單個芯片，保護層以及對外的電路連接接口在切割前就已經(jīng)完成。這種封裝方式可以做到幾乎和裸片一樣的封裝尺寸，且由于連線較短，信號傳輸速度也較高，同時也能降低工業(yè)成本以及縮短生產(chǎn)周期。

晶圓級封裝又可以分為扇入型晶圓級封裝（FIWLP）和扇出型晶圓級封裝（FOWLP）。裸片上存在IO接口，但是這些IO接口的位置可能不太好，對于某些復(fù)雜的封裝工藝這些接口可能很難與封裝的接口相連接，于是RDL工藝就誕生了，RDL是一層金屬互連線，與裸片的IO接口相連，重新排布這些IO接口的位置，以便裸片更容易地與載體相連接。

扇入（Fan In，F(xiàn)I）就是在原芯片尺寸內(nèi)部將所需要的IO接口重排布完成，封裝尺寸基本等于芯片尺寸，在IO接口數(shù)量比較小的情況下可以采用這種技術(shù)。而當IO接口數(shù)量很大，在現(xiàn)有芯片的尺寸內(nèi)已經(jīng)放不下這些錫球了，就可以扇出（Fan Out，F(xiàn)O）技術(shù)，通過特殊的填充材料人為擴大芯片的封裝尺寸，在擴充后的整個范圍內(nèi)走線和排布IO。

FIWLP就是對晶圓上的每個芯片做Fan In封裝，F(xiàn)OWLP就是先把整個晶圓上的不同芯片切下來，然后把他們整體移植到一個更大的晶圓上，然后對更大的晶圓做晶圓級封裝。

五、硅通孔

想要將很多芯片疊起來，實現(xiàn)他們之間的互聯(lián)，可以采用下面這個方案，每一層都通過引線鍵合連到最下面的基板上，通過基板來實現(xiàn)芯片間的互連。

但是這種方案沒有很好地利用垂直空間，引線太多且比較長，信號傳輸比較慢。一個想法就是把堆疊的芯片之間相互垂直聯(lián)通，于是TSV就產(chǎn)生了，把裸片放在硅中介層（Si interposer）上，加工一些列的貫通孔，在孔中沉積銅、鎢等導(dǎo)電物質(zhì)，覆蓋結(jié)構(gòu)的頂部，實現(xiàn)通過硅通孔的垂直電氣導(dǎo)通，實現(xiàn)堆疊芯片間的互聯(lián)。TSV的引入使得裸片之間可——+以直接互連，而不需要通過大量的引線在基板上再實現(xiàn)互連，可以提高更高密度的集成、以及更快的信息傳輸速度。

GaN Hybrid-IC 也有采用TSV來替代打線來構(gòu)造回路（Microw. Opt. Technol. Lett., 59: 1087-1092.）。

六、IC芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。