群雄決戰(zhàn)先進封裝混合鍵合技術

合明科技發(fā)布時間：2023-12-07 ?? 2723 Tags：W2W混合鍵合技術先進芯片封裝清洗 7nm 處理器

群雄決戰(zhàn)封裝

該工藝有可能增加校準精度以及每小時數千個芯片的制造吞吐量，采用取放工具后鍵合的最先進的對準是 1μm，最好的情況是 700nm，而新工藝提供低于 500nm 甚至小于 200nm 的后鍵合對準。

目前imec的研究已經證明了在7微米間距實現混合鍵合的可行性。利用這項技術，芯片之間或芯片與硅中介層之間的 3D 互連密度比現有技術高出十六倍以上其開發(fā)間距小至3μm且具有高公差拾放精度的芯片間混合鍵合。

是混合鍵合的集大成者，其SoIC 封裝技術依靠混合鍵合，在芯片 I/O 上實現了強大的接合間距可擴展性，實現了高密度的芯片到芯片互連，其鍵合間距從 10 微米以下開始，表示與目前業(yè)界最先進的封裝解決方案相比，短芯片到芯片連接具有外形尺寸更小、帶寬更高、電源完整性和信號完整性更好以及功耗更低的優(yōu)點。此前，已經展示了其第四代混合鍵合技術的研究成果，該技術可實現每平方毫米 100,000 個接點數量。

2021年底，宣布Ryzen 7 5800X3D 也采用了Hybrid Bonding 技術，將7nm SRAM 疊接在7nm 處理器之上，銅─銅混合鍵合能提升200 倍的接點密度，而且每個訊號傳遞所需的能量降低至三分之一以下。

值得一提的是，推出的Xtacking架構，即采用了W2W的混合鍵合技術，利用不同的工藝，先后制作Memory晶圓和CMOS晶圓，在后道制程中構建兩者的觸點。通過混合鍵合，這些觸點被鏈接導通，Memory和CMOS在垂直方向實現了互聯。

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混合鍵合在3D NAND閃存上實現數十億根金屬通道的連接，隨著層數的不斷增高，基于晶棧Xtacking所研發(fā)制造的3D NAND閃存將更具成本和創(chuàng)新優(yōu)勢。

先進芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。

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