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所以領先
華為麒麟9020芯片的制造工藝是目前大家非常關心的話題。它采用的是中芯國際(SMIC)的7納米級(N+2)制程工藝,并且在一些技術細節和封裝方式上有著顯著的創新。
下面是一個表格,幫你快速了解麒麟9020芯片制造工藝的核心信息:
特性維度 | 具體內容 | 技術看點/意義 |
制程工藝 | 中芯國際(SMIC)7nm N+2 工藝 | 在未使用EUV光刻機的情況下,通過多重曝光等技術實現,是國內半導體制造的重要突破。 |
封裝技術 | InFO-PoP(集成扇出型封裝-on-Package-on-Package)一體化封裝 | 將CPU、GPU、內存等模塊垂直堆疊集成,顯著縮短信號傳輸路徑,提升數據傳輸效率和能效,并節省主板空間。 |
核心配置 | 12核CPU(1x2.5GHz + 3x2.15GHz + 4x1.6GHz), Maleoon 920 GPU | 自研“泰山”CPU架構和Maleoon GPU,性能相比前代有大幅提升。 |
基帶與通信 | 集成5G基帶 | 支持5G-A(5G-Advanced)網絡,屬于5G的增強版本,理論峰值速率提升。 |
特殊工藝 | 氮化鎵復合散熱薄膜 | 針對一體化封裝帶來的散熱挑戰,采用了特殊材料,熱導率較傳統封裝提升2.3倍,同時具備電磁屏蔽功能。 |
通過封裝和創新實現性能提升
麒麟9020雖然在制程節點上并非最頂尖,但華為通過一系列創新設計彌補了這方面的不足:
一體化封裝的優勢:傳統的芯片設計中,處理器和內存是分離的,數據需要通過主板上的線路傳輸,這會帶來一定的延遲和功耗。 麒麟9020采用的InFO-PoP一體化封裝技術,將內存直接堆疊在CPU之上,通過數以萬計的微凸塊(Microbump)連接,使得信號傳輸路徑大大縮短。 這帶來了數據傳輸延遲降低40%,帶寬提升35% 的效益,同時節省了約20%的主板空間。
自研架構優化:華為在麒麟9020上繼續優化其自研的“泰山”CPU架構和Maleoon GPU。 配合鴻蒙系統的深度優化,即便在高負載任務中,功耗較前代也有所下降。
國產化的意義與未來的挑戰
麒麟9020芯片的制造工藝對于中國半導體產業而言,具有重要的意義:
產業鏈自主可控:麒麟9020芯片的制造意味著中國芯片供應鏈在7nm這個先進節點上實現了全鏈路自主可控,從設計到制造、封裝,都不再需要依賴國外的技術和設備。 這背后是中芯國際在制裁重壓下,不斷突破技術難題的結果,例如其14納米工藝良率曾在300天內提升至95%。
技術發展路線的探索:麒麟9020的成功證明,在先進制程暫時受限的情況下,通過封裝技術、芯片架構優化和系統級協同(如與鴻蒙操作系統的深度結合)同樣可以提升整體性能體驗。 這為國內半導體產業發展提供了一條可行的思路。
面臨的挑戰:當然,也需要看到,與國際最先進的制程(如3nm)相比,7nm在晶體管密度、極限性能功耗方面仍有差距。同時,采用多次多重曝光來實現7nm工藝可能會帶來成本增加和良率挑戰。高度集成的封裝技術也可能在一定程度上增加維修的成本和難度。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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