第一部分：國產(chǎn)輔助駕駛芯片主要封裝工藝

輔助駕駛芯片屬于高端半導(dǎo)體產(chǎn)品，對性能、功耗、可靠性和集成度要求極高。因此，其封裝技術(shù)也采用了最先進的方案。國產(chǎn)芯片廠商主要采用以下幾種主流和前沿的封裝工藝：

1. 傳統(tǒng)先進封裝（仍廣泛應(yīng)用）

• FCBGA (Flip Chip Ball Grid Array - 倒裝芯片球柵格陣列)

• 技術(shù)原理：與傳統(tǒng)的Wire Bonding（打線連接）不同，芯片的有源面（正面）通過微小的凸塊（Solder Bump）直接連接到封裝基板上。

• 優(yōu)點：更高的I/O密度、更短的互聯(lián)路徑（更好的電性能、更低的延遲和噪聲）、更好的散熱性能。

• 應(yīng)用：這是目前主流大算力自動駕駛芯片（如英偉達Orin、地平線征程5、黑芝麻A1000等）最常采用的基礎(chǔ)封裝形式。它為芯片提供了穩(wěn)定、可靠的物理和電氣連接基礎(chǔ)。

2. 2.5D/3D 先進封裝（成為高性能核心）

這是目前追逐更高算力的關(guān)鍵封裝技術(shù)，國產(chǎn)頭部廠商已普遍采用。

• 2.5D 封裝

• 技術(shù)原理：將多個芯片（如計算芯粒Chiplet、HBM內(nèi)存）并排放置在一個中介層（Interposer） 上。這個中介層通常由硅（Silicon）或玻璃等材料制成，內(nèi)部有高密度的布線（TSV硅通孔或RDL重布線層），實現(xiàn)芯片間的高速互聯(lián)。

• 核心應(yīng)用：集成高帶寬內(nèi)存（HBM）。自動駕駛AI計算需要巨大的內(nèi)存帶寬，HBM提供了解決方案，而2.5D封裝是實現(xiàn)CPU/GPU與HBM集成的唯一商業(yè)化路徑。

• 代表：寒武紀的思元系列、華為昇騰芯片等早期就采用了2.5D封裝。地平線征程6等新一代芯片也勢必采用。

• 3D 封裝

• 技術(shù)原理：將多個芯片或芯片層在垂直方向上堆疊并互連，通過TSV（Through-Silicon Via） 等技術(shù)實現(xiàn)穿硅互連。

• 優(yōu)點：集成度最高，能進一步縮短互聯(lián)長度，極大提升傳輸速率和能效。

• 應(yīng)用：目前主要用于存儲器堆疊（如HBM本身就是3D堆疊的）。在邏輯芯片（如CPU/GPU）的3D堆疊上，技術(shù)難度和成本更高，是未來的發(fā)展方向。國產(chǎn)芯片在此領(lǐng)域處于研發(fā)和追趕階段。

3. 晶圓級封裝（WLP）

• 技術(shù)原理：直接在晶圓上進行封裝和測試，然后才切割成單個芯片。

• 優(yōu)點：封裝尺寸小、性能好、成本相對有優(yōu)勢。

• 應(yīng)用：更多用于對尺寸要求苛刻的移動設(shè)備或較低算力的傳感器處理芯片。在主控ADAS芯片中，F(xiàn)an-Out（扇出型）晶圓級封裝可用于集成多個Die，是一種有潛力的技術(shù)，但目前不如2.5D普及。

4. Chiplet（芯粒）技術(shù)

• 技術(shù)理念：與其說是一種具體工藝，不如說是一種設(shè)計方法論。它將一個大型SoC拆分成多個更小、功能更單一的“芯粒”（Die），然后通過先進封裝（如2.5D、3D）技術(shù)集成在一起。

• 對國產(chǎn)芯片的意義：

• 提升良率，降低成本：大尺寸單片SoC良率低，成本高昂。分解成小芯粒可以分別使用最適合的工藝節(jié)點（如計算單元用7nm/5nm，I/O接口用28nm），大幅降低成本。

• 技術(shù)突破捷徑：在無法全面獲得最先進EUV光刻機的情況下，通過 Chiplet 設(shè)計和先進封裝，用相對成熟的工藝“組合”出接近先進制程的性能，是實現(xiàn)“彎道超車”或“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。

• 代表：華為、寒武紀、芯擎科技等公司都在積極布局Chiplet技術(shù)。

第二部分：市場應(yīng)用與發(fā)展情況分析

市場應(yīng)用現(xiàn)狀（匹配不同級別自動駕駛）

1. L2/L2+ 級（普及型ADAS）

• 芯片需求：算力要求通常在10-30 TOPS。更注重成本、功耗和可靠性。

• 封裝技術(shù)：主流是FCBGA。技術(shù)成熟，供應(yīng)鏈穩(wěn)定，成本可控。代表芯片如地平線征程3、黑芝麻A1000（早期版本）、芯擎科技的“龍鷹一號”等均采用此類封裝。足以滿足泊車、自適應(yīng)巡航、車道保持等功能。

2. L3/L4 級（高階智能駕駛）

• 芯片需求：算力要求躍升至100-1000+ TOPS。對內(nèi)存帶寬、互聯(lián)速度和散熱的要求呈指數(shù)級增長。

• 封裝技術(shù)：2.5D + HBM 成為標配。沒有HBM提供的超高帶寬，大算力就無法有效釋放。地平線征程5/6、黑芝麻A2000、華為MDC平臺中的昇騰芯片等，都采用了2.5D封裝集成HBM。這是目前國產(chǎn)高端芯片角逐的主戰(zhàn)場。

3. 艙駕一體

• 新趨勢：將智能座艙芯片和智能駕駛芯片的功能集成到一顆SoC中。

• 封裝挑戰(zhàn)：需要集成更多不同功能、不同制程的芯粒（如CPU、GPU、NPU、AI加速器、視頻編解碼器等），對Chiplet設(shè)計和異構(gòu)集成能力要求極高。這將是下一代封裝技術(shù)的核心應(yīng)用場景。

發(fā)展情況分析：優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

優(yōu)勢 (Strengths):

1. 市場需求強勁：中國是全球最大的智能汽車市場，主機廠和Tier1對國產(chǎn)芯片有強烈的替代需求和合作意愿，為國產(chǎn)芯片提供了寶貴的落地迭代機會。

2. 政策大力支持：國家在集成電路產(chǎn)業(yè)（大基金等）和新能源汽車產(chǎn)業(yè)上有明確的戰(zhàn)略支持和政策引導(dǎo)。

3. 頭部廠商技術(shù)快速突破：以地平線、華為海思、黑芝麻智能、芯擎科技等為代表的公司，在設(shè)計能力和對先進封裝的應(yīng)用上已經(jīng)與國際先進水平接軌，尤其是在2.5D封裝和Chiplet架構(gòu)的理解上。

4. 封裝產(chǎn)業(yè)鏈相對成熟：中國大陸的長電科技、通富微電等封測代工廠（OSAT）已具備國際一流的先進封裝（如2.5D、Fan-out）制造能力，能夠為本土芯片設(shè)計公司提供有力支撐。

挑戰(zhàn) (Challenges):

1. 最先進制程受限：高端ADAS芯片需要7nm、5nm甚至更先進的制程，而大陸晶圓廠（如中芯國際）在先進制程上受到設(shè)備限制。這使得國產(chǎn)芯片在絕對性能和能效上追趕國際頂尖水平（如英偉達Thor）存在客觀困難。Chiplet是應(yīng)對此挑戰(zhàn)的關(guān)鍵策略。

2. 核心IP和EDA工具依賴：特別是在SerDes（高速接口）、HBM PHY等關(guān)鍵IP，以及支持3DIC先進封裝的EDA設(shè)計工具上，仍高度依賴Synopsys、Cadence等國外公司。

3. HBM等高端部件依賴進口：HBM內(nèi)存目前幾乎由三星、SK海力士和美光壟斷。國產(chǎn)存儲芯片廠商（如長鑫存儲）正在奮力追趕，但尚未實現(xiàn)HBM的量產(chǎn)和商用。這是供應(yīng)鏈上的一個潛在風(fēng)險點。

4. 生態(tài)系統(tǒng)和軟件棧：芯片的成功不僅靠硬件，更需要強大的軟件開發(fā)工具鏈（Toolchain）、算法庫和完整的軟件棧（如Autosar、中間件）。這是英偉達的核心壁壘，也是國產(chǎn)芯片廠商需要長期投入和構(gòu)建的。

總結(jié)與展望

• 封裝技術(shù)是核心競爭力：對于國產(chǎn)輔助駕駛芯片而言，先進封裝已不再是“可選項”，而是“必選項”。它是提升算力、帶寬和集成度的關(guān)鍵賦能技術(shù)。

• 技術(shù)路徑清晰：FCBGA 滿足中低端市場，2.5D + HBM 占領(lǐng)高端市場，Chiplet 是未來實現(xiàn)超越和平衡性能與成本的核心設(shè)計理念，3D封裝是更長遠的技術(shù)儲備。

• 發(fā)展態(tài)勢積極：國產(chǎn)芯片在設(shè)計上已具備與國際玩家同臺競技的能力，并借助本土市場優(yōu)勢快速迭代。封裝制造環(huán)節(jié)也有強大的本土供應(yīng)鏈支持。

• 關(guān)鍵瓶頸在外：先進制程和HBM內(nèi)存等核心部件的外部依賴是主要短板。未來的發(fā)展取決于國產(chǎn)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的突破，以及芯片廠商通過Chiplet等架構(gòu)創(chuàng)新繞過部分瓶頸的能力。

總體來看，國產(chǎn)輔助駕駛芯片在封裝技術(shù)的應(yīng)用上緊跟全球潮流，市場應(yīng)用正從低向高快速滲透，未來發(fā)展?jié)摿薮螅孕杩朔讓蛹夹g(shù)和供應(yīng)鏈的嚴峻挑戰(zhàn)。

合明科技國產(chǎn)輔助駕駛芯片清洗劑介紹：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

合明科技致力于為SMT電子表面貼裝清洗、功率電子器件清洗及先進封裝清洗提供高品質(zhì)、高技術(shù)、高價值的產(chǎn)品和服務(wù)。合明科技 （13691709838）Unibright 是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的國家高新技術(shù)、專精特新企業(yè)，具有二十多年的水基清洗工藝解決方案服務(wù)經(jīng)驗，掌握電子制程環(huán)保水基清洗核心技術(shù)。水基技術(shù)產(chǎn)品覆蓋從半導(dǎo)體芯片封測到 PCBA 組件終端的清洗應(yīng)用。是IPC-CH-65B CN《清洗指導(dǎo)》標準的單位。合明科技全系列產(chǎn)品均為自主研發(fā)，具有深厚的技術(shù)開發(fā)能力，擁有五十多項知識產(chǎn)權(quán)、專利，是國內(nèi)為數(shù)不多擁有完整的電子制程清洗產(chǎn)品鏈的公司。合明科技致力成為芯片、電子精密清洗劑的領(lǐng)先者。以國內(nèi)自有品牌，以完善的服務(wù)體系，高效的經(jīng)營管理機制、雄厚的技術(shù)研發(fā)實力和產(chǎn)品價格優(yōu)勢，為國內(nèi)企業(yè)、機構(gòu)提供更好的技術(shù)服務(wù)和更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。合明科技的定位不僅是精湛技術(shù)產(chǎn)品的提供商，另外更具價值的是能為客戶提供可行的材料、工藝、設(shè)備綜合解決方案，為客戶解決各類高端精密電子、芯片封裝制程清洗中的難題，理順工藝，提高良率，成為客戶可靠的幫手。

合明科技憑借精湛的產(chǎn)品技術(shù)水平受邀成為國際電子工業(yè)連接協(xié)會技術(shù)組主席單位，編寫全球首部中文版《清洗指導(dǎo)》IPC標準（標準編號：IPC-CH-65B CN）(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”)，IPC標準是全球電子行業(yè)優(yōu)先選用標準，是集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟會員成員。

主營產(chǎn)品包括：集成電路與先進封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環(huán)保清洗設(shè)備、電子輔料等。

半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用節(jié)點：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗；晶圓級封裝；高密度SIP焊后清洗；功率電子清洗。