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后摩爾時(shí)代Chiplet與3D封裝技術(shù)發(fā)展全景分析和先進(jìn)封裝chiplet芯片清洗劑介紹

合明科技 ?? 2879 Tags:chiplet芯片清洗劑3D封裝使AI芯片清洗

后摩爾時(shí)代Chiplet與3D封裝技術(shù)發(fā)展全景分析

核心價(jià)值主張:突破物理極限,通過異構(gòu)集成實(shí)現(xiàn)性能指數(shù)級(jí)增長,降低先進(jìn)制程依賴。


1. 技術(shù)協(xié)同架構(gòu):Chiplet+3D封裝的核心邏輯

  • 定義:
    Chiplet(預(yù)制功能芯粒)通過3D堆疊(TSV硅通孔/TGV玻璃通孔)和2.5D中介層實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成,替代單片SoC。

  • image.png

  • 關(guān)鍵進(jìn)展:

    • UCIe標(biāo)準(zhǔn)普及(2022年英特爾/臺(tái)積電等發(fā)起):實(shí)現(xiàn)跨廠商芯粒互連,2025年生態(tài)覆蓋率達(dá)80%頭部企業(yè)。

    • 混合鍵合(Hybrid Bonding)突破:鍵合間距降至<1μm(如臺(tái)積電SoIC),互連密度提升100倍。

  • 爭(zhēng)議點(diǎn):
    "定制化vs標(biāo)準(zhǔn)化"悖論:Ferguson指出當(dāng)前90%方案仍為一次性定制,制約成本下降。

2. 技術(shù)瓶頸與突破路徑

挑戰(zhàn)領(lǐng)域關(guān)鍵問題創(chuàng)新解決方案
熱管理3D堆疊熱密度達(dá)1kW/cm2Ansys   AI驅(qū)動(dòng)熱仿真優(yōu)化
測(cè)試良率合封后良率驟降(單Chiplet 98%→系統(tǒng)<85%)華邦KGD(Known   Good Die)預(yù)測(cè)試方案
設(shè)計(jì)復(fù)雜度多物理場(chǎng)耦合(信號(hào)/功耗/應(yīng)力)Cadence   3Dblox標(biāo)準(zhǔn)降低熵值


3. 應(yīng)用場(chǎng)景與市場(chǎng)爆發(fā)點(diǎn)

  • 高價(jià)值領(lǐng)域:

    • AI芯片:NVIDIA H100采用3D CoWoS封裝,帶寬達(dá)3TB/s

    • 高頻寬存儲(chǔ)器:HBM3e通過TSV堆疊8層Die,速率提升至8Gbps

    • 軍事/航天:異質(zhì)集成(Si+GaN)滿足極端環(huán)境可靠性

  • 成本敏感領(lǐng)域停滯:消費(fèi)電子因封裝成本占比超30%,尚未大規(guī)模滲透。

4. 產(chǎn)業(yè)生態(tài)博弈

  • 標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)權(quán)爭(zhēng)奪:

    • UCIe聯(lián)盟(開放生態(tài))vs 臺(tái)積電3DFabric(封閉體系)

    • 關(guān)鍵分歧:測(cè)試接口標(biāo)準(zhǔn)化(Mueth指出當(dāng)前依賴"電子表格"溝通 

  • 產(chǎn)能卡位戰(zhàn):
    臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能2025年翻倍,仍缺口40%(TrendForce數(shù)據(jù)),倒逼長電科技/華天科技擴(kuò)產(chǎn)。

總結(jié):5大決策洞察

  1. 性能紅利:3D封裝使AI芯片PPA(性能/功耗/面積)優(yōu)化50%+,但成本增幅超35%。

  2. 關(guān)鍵拐點(diǎn):2026年UCIe 2.0標(biāo)準(zhǔn)落地將降低異構(gòu)集成設(shè)計(jì)成本40%(SEMI預(yù)測(cè))。

  3. 國產(chǎn)替代窗口:中國封測(cè)廠(華天科技等)在TSV工藝良率追至95%,切入HBM供應(yīng)鏈。

  4. 技術(shù)懸崖:未解決熱崩潰問題的3D芯片將面臨20%以上早期失效率(Ansys模型)。

  5. 投資焦點(diǎn):優(yōu)先布局測(cè)試設(shè)備商(如泰瑞達(dá))+ 異質(zhì)材料企業(yè)(SiC/GaN襯底)。

chiplet芯片清洗劑選擇:

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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