后摩爾時代Chiplet與3D封裝技術發展全景分析

核心價值主張：突破物理極限，通過異構集成實現性能指數級增長，降低先進制程依賴。

1. 技術協同架構：Chiplet+3D封裝的核心邏輯

• 定義：
  Chiplet（預制功能芯粒）通過3D堆疊（TSV硅通孔/TGV玻璃通孔）和2.5D中介層實現異構集成，替代單片SoC。

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• 關鍵進展：

• UCIe標準普及（2022年英特爾/臺積電等發起）：實現跨廠商芯粒互連，2025年生態覆蓋率達80%頭部企業。

• 混合鍵合（Hybrid Bonding）突破：鍵合間距降至<1μm（如臺積電SoIC），互連密度提升100倍。

• 爭議點：
  "定制化vs標準化"悖論：Ferguson指出當前90%方案仍為一次性定制，制約成本下降。

2. 技術瓶頸與突破路徑

3. 應用場景與市場爆發點

• 高價值領域：

• AI芯片：NVIDIA H100采用3D CoWoS封裝，帶寬達3TB/s

• 高頻寬存儲器：HBM3e通過TSV堆疊8層Die，速率提升至8Gbps

• 軍事/航天：異質集成（Si+GaN）滿足極端環境可靠性

• 成本敏感領域停滯：消費電子因封裝成本占比超30%，尚未大規模滲透。

4. 產業生態博弈

• 標準主導權爭奪：

• UCIe聯盟（開放生態）vs 臺積電3DFabric（封閉體系）

• 關鍵分歧：測試接口標準化（Mueth指出當前依賴"電子表格"溝通 

• 產能卡位戰：
  臺積電CoWoS產能2025年翻倍，仍缺口40%（TrendForce數據），倒逼長電科技/華天科技擴產。

總結：5大決策洞察

1. 性能紅利：3D封裝使AI芯片PPA（性能/功耗/面積）優化50%+，但成本增幅超35%。

2. 關鍵拐點：2026年UCIe 2.0標準落地將降低異構集成設計成本40%（SEMI預測）。

3. 國產替代窗口：中國封測廠（華天科技等）在TSV工藝良率追至95%，切入HBM供應鏈。

4. 技術懸崖：未解決熱崩潰問題的3D芯片將面臨20%以上早期失效率（Ansys模型）。

5. 投資焦點：優先布局測試設備商（如泰瑞達）+ 異質材料企業（SiC/GaN襯底）。

chiplet芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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