因為專業
所以領先
功率芯片PCB內埋式封裝技術通過將功率芯片直接嵌入PCB基板內部,實現了電氣連接、散熱路徑和機械結構的協同優化,特別適用于寬禁帶半導體(如碳化硅、氮化鎵)器件。其核心優勢包括:解決傳統封裝的散熱瓶頸、降低寄生參數、提升集成度,為電動汽車逆變器、新能源發電等大功率場景提供性能突破。采埃孚CIPB方案、博世Dauerpower逆變器等商業化案例已驗證其技術潛力。
功率芯片PCB內埋式封裝流程需融合傳統芯片封裝工藝與PCB制造特性,主要分為芯片預處理、PCB基板制備、芯片嵌入與互連、封裝后處理四大階段,各環節需滿足電性能、熱管理和機械可靠性的多維度要求。
晶圓減薄與切割
對晶圓進行背面研磨減薄(厚度通常降至50-100μm),通過激光切割或金剛石砂輪切割分離為獨立芯片(Die),同時采用UV膜保護芯片電路面。減薄工藝可改善散熱路徑并降低切割應力。
焊盤金屬化與表面處理
對芯片焊盤進行電鍍(如Ni/Au鍍層)或燒結銀處理,提升互連界面的導電性與可靠性,為后續鍵合或倒裝焊做準備。
基材選型與改性
需突破傳統FR-4基材性能缺陷,采用陶瓷填充樹脂、金屬基覆銅板等材料,目標提升導熱系數(>3W/m·K)并降低熱膨脹系數(CTE),匹配芯片與基板的熱應力兼容性。
PCB內埋 cavity 結構加工
通過機械銑槽或激光開槽在PCB基板預設芯片嵌入腔(Cavity),精度需控制在±10μm以內,確保芯片與基板的貼合間隙<20μm,為散熱路徑優化奠定基礎。
芯片貼裝(Die Attach)
將預處理后的芯片倒裝或正裝于PCB cavity內,采用銀漿燒結、焊料焊接或環氧樹脂粘結工藝固定,鍵合層厚度需控制在10-30μm以降低熱阻。此環節需通過高精度貼片機實現±5μm的定位精度。
互連工藝實現
導線鍵合(Wire Bonding):采用金線或銅線超聲鍵合,連接芯片焊盤與PCB內層電路,鍵合強度需達到≥5g的拉拔力標準。
倒裝焊(Flip Chip):通過焊球陣列(BGA)直接實現芯片與PCB的電學連接,寄生電感可降低至傳統引線鍵合的1/5。
PCB層間互連:利用激光鉆孔與電鍍銅工藝形成垂直導通孔(VIAs),實現芯片與PCB外層電路的電氣導通。
絕緣封裝與密封
采用環氧樹脂模塑料(EMC)或聚酰亞胺涂層覆蓋芯片及互連區域,需確保絕緣層厚度均勻(≥50μm),并通過高壓測試(≥1kV DC)驗證絕緣可靠性,防止電樹枝與銅須生長導致的失效1。
熱界面材料(TIM)集成
在PCB背面或芯片裸露區域涂覆導熱硅脂或燒結銀,降低與散熱片的接觸熱阻,總熱阻需控制在<0.5℃/W。
測試與失效分析
通過X-ray檢測互連質量,進行功率循環測試(>10?次)與溫度循環測試(-40℃~125℃),驗證長期可靠性。
優化維度 | 核心問題 | 創新方案 |
空間維度 | 互連寄生參數大、散熱路徑長 | 立體布線設計、嵌入式散熱鰭片1 |
材料維度 | 基材導熱性差、熱應力失配 | 納米陶瓷填充樹脂、金屬芯PCB基板1 |
可靠性維度 | 絕緣老化、焊點疲勞 | 梯度熱膨脹系數設計、無鉛焊料合金 |
工藝精度控制:芯片嵌入公差需<±5μm,PCB層壓過程中腔體變形需<3μm。
成本優化:激光切割與高精度貼裝設備投資較高,需通過工藝集成(如晶圓級封裝與PCB制造融合)降低單件成本。
隨著寬禁帶器件的普及,PCB內埋式封裝技術將向高密度集成(多芯片模塊MCM)、三維堆疊(3D IC)方向發展。預計到2027年,電動汽車逆變器領域的滲透率將突破30%,推動整車電驅系統效率提升至97%以上。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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