一、CoWoS技術概述

1. 技術定義與結構
CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是臺積電開發的2.5D先進封裝技術，通過將芯片（CoW）連接至硅晶圓中介層，再整合到基板（oS）上實現多芯片互聯。其核心優勢在于：

• 硅中介層技術：使用微凸塊（μBumps）、硅通孔（TSV）替代傳統引線鍵合，提升互聯密度和數據傳輸帶寬。

• 分類差異：

• CoWoS-S：硅基中介層，適用于高性能計算，支持最高晶體管密度（如英偉達H100采用的CoWoS-S5，硅中介層面積達2500mm2）。

• CoWoS-L：結合RDL（重布線層）與局部硅互連（LSI），成本更低且靈活性更高，2024年已量產，未來可能成為主流。

• CoWoS-R：基于InFO技術的RDL層互聯，適用于中等密度堆疊場景。

2. 技術優勢與挑戰

• 優勢：高度集成、高速低延遲、高性價比（如H100中硅中介層成本占比僅8%）。

• 挑戰：硅中介層產能受限（光刻機限制、良率損失）、HBM堆疊復雜性提升（HBM3需12層堆疊）。

二、市場應用現狀

1. 主要應用領域

• AI算力芯片：英偉達H100、Blackwell系列GPU依賴CoWoS封裝，占臺積電CoWoS產能的50%以上。

• 高帶寬內存（HBM）：HBM3/4需通過CoWoS實現與計算芯片的異構集成，HBM產能受CoWoS限制。

2. 產能與競爭格局

• 全球產能：2024年底臺積電月產能達4萬片，2025年預計增至8萬片，整體市場月產能超9.2萬片（含日月光、安靠）。

• 客戶集中度：英偉達是最大客戶，其Blackwell系列推動臺積電2025年轉向CoWoS-L工藝（占比54.6%）。

三、市場前景與發展趨勢

1. 技術演進方向

• CoWoS-L主導：通過LSI替代硅中介層，降低成本并提升彈性，支持12顆HBM3堆疊，2025年第四季度成主流。

• 光電集成：臺積電計劃2026年整合CoWoS與硅光子（SiPh）技術，推出共封裝光學器件（CPO），提升數據中心光通信效率。

2. 市場增長驅動因素

• AI需求爆發：云端AI加速器推動2025年CoWoS需求激增，英偉達GB200等產品需更高封裝密度。

• 后摩爾定律時代：先進封裝成提升芯片性能關鍵路徑，2025年中國先進封裝市場規模將超1100億元（CAGR 26.5%）。

3. 中國大陸企業布局

• 長電科技、通富微電、華天科技：已掌握2.5D/3D封裝技術，推進FOPLP（扇出型面板級封裝）驗證，有望分食HBM封裝市場。

四、風險與挑戰

1. 產能瓶頸：硅中介層制造難度高，65nm光刻機產能不足可能制約擴張。

2. 技術替代風險：英偉達計劃2025年提前導入FOPLP技術，緩解CoWoS壓力。

3. 貿易摩擦：美國芯片法案限制對中國技術出口，影響本土企業技術突破。

先進封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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