硅片清洗中烘干過(guò)程對(duì)硅片表面顆粒的影響

硅片表面顆粒污染會(huì)造成的危害包括:影響器件工藝良品率而造成的制造成本、影響器件性能導(dǎo)致了器件性能的失常、影響器件的可靠性等等，所以硅片表面顆粒必須清洗干凈才能進(jìn)入下一道工序。

今天合明科技小編給大家分享的是硅片清洗中烘干過(guò)程對(duì)硅片表面顆粒的影響，希望能對(duì)您有所幫助！

硅片清洗中烘干過(guò)程對(duì)硅片表面顆粒的影響

在硅片清洗工藝中，有一個(gè)重要的影響因素是烘干機(jī)，烘干機(jī)的影響條件主要是甩干時(shí)的轉(zhuǎn)速以及烘干的時(shí)間，為了探究硅片清洗中烘干過(guò)程對(duì)硅片表面顆粒的影響，小編通過(guò)實(shí)際的實(shí)驗(yàn)來(lái)加以驗(yàn)證和說(shuō)明。將清洗出來(lái)的的硅片放入烘干機(jī)，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)出來(lái)過(guò)后要進(jìn)行以下分析：

1、甩干時(shí)的轉(zhuǎn)速與表面顆粒的關(guān)系：

從上面圖表可以看出，轉(zhuǎn)速在2000轉(zhuǎn)/分以下時(shí)，由于甩水效果差，出現(xiàn)的顆粒問(wèn)題是表較嚴(yán)重的，顆粒數(shù)量多就會(huì)對(duì)芯片的的質(zhì)量產(chǎn)生較大的威脅，于是生產(chǎn)中并不可取。而3000轉(zhuǎn)/分~4500轉(zhuǎn)/分以上的產(chǎn)生的影響就可以忽略。而大于5000轉(zhuǎn)/分由于速度過(guò)快，會(huì)出現(xiàn)碎片的問(wèn)題，從而導(dǎo)致顆粒的污染。

2、烘干時(shí)間與表面顆粒的關(guān)系：

由圖示可以看出，烘干時(shí)間對(duì)表面顆粒的影響還是比較小的，都在顆粒硅片的表面 面積都在0.06以下，可以得出烘干時(shí)間對(duì)表面顆粒沒(méi)有直接影響。

以上是關(guān)于硅片清洗中烘干過(guò)程對(duì)硅片表面顆粒的影響的全部?jī)?nèi)容了，希望能對(duì)您有所幫助！

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