FC倒裝芯片（Flip-Chip）封裝工藝通過將芯片主動面朝下直接與基板互連，實現高密度、高性能的封裝效果。其核心流程和技術要點如下：

一、核心工藝流程

1. 芯片檢測與預處理

   
   

• 通過電性能測試和光學檢測篩選合格芯片，并完成圓片減薄（目標厚度控制在±15μm以內）。

• 在芯片I/O觸點上制作金屬凸塊（如錫球、銅柱或金凸塊），形成UBM（Under Bump Metallization）結構以增強焊點可靠性。

2. 倒裝貼片與焊接

• 利用高精度貼片機（精度需達10-12μm@3σ）將芯片翻轉180°，使凸塊對準基板焊盤。

• 通過熱壓焊接或回流焊（溫度曲線需精確控制）實現凸塊與基板的冶金連接，注意避免焊料橋連或斷路。

3. 底部填充（Underfill）

• 在芯片與基板間隙注入環氧樹脂膠，通過毛細流動或非流動性填充技術分散熱應力，防止CTE不匹配導致的焊點開裂。

• 需控制填充速度、溫度和固化條件，確保無氣泡殘留。

4. 封裝與測試

• 使用模塑料（EMC）或導電樹脂膠進行整體塑封，部分工藝需結合EMI金屬濺鍍實現電磁屏蔽。

• 執行功能測試、X-ray檢測及可靠性驗證（如溫度循環、機械沖擊）。

二、關鍵技術優化方向

1. 凸塊工藝優化

• 采用錫膏印刷、電鍍或噴注技術制作微凸塊（球徑可小至25μm），需平衡成本與精度。

• 銅柱凸塊可縮小間距至50μm，提升I/O密度。

2. 焊接與對位控制

• 使用百萬像素相機識別微小焊球（直徑0.05mm），結合激光對位系統提升貼裝精度。

• 基板翹曲需控制在50μm以內，防止焊接偏移。

3. 材料與結構設計

• 選擇低CTE基板（如有機材料/陶瓷）與高導熱底部填料，優化散熱路徑。

• 多芯片平置或疊層混聯結構可進一步縮小封裝尺寸，但需解決熱應力累積問題。

三、典型應用與挑戰

• 應用領域：手機處理器、射頻模塊（Wi-Fi）、圖像傳感器、高密度SiP封裝等。

• 挑戰：

• 設計復雜度高（需協同考慮電、熱、機械性能）；

• 制造成本攀升（依賴高精度設備和先進材料）；

• 可維修性差，失效后需整體更換。

通過持續改進凸塊微縮化、焊接精度和材料匹配性，FC倒裝芯片技術將持續推動高性能計算和微型化電子設備的發展。如需更詳細的工藝參數或案例，可參考原文鏈接。

FC芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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