半導體制造全流程可分為晶圓制備、前道工藝（芯片加工）、后道工藝（封裝測試）三大階段，以下是核心步驟詳解：

一、晶圓制備

1. 原材料提純
   從硅砂（二氧化硅含量≥95%）中提取高純度硅（99.9999999%以上），通過提拉法將熔融硅制成單晶硅錠，切割成直徑200-300mm的薄片（晶圓）。

2. 晶圓表面處理
   切割后的晶圓需研磨、化學刻蝕去除表面缺陷，再經拋光形成納米級平整度，最后清洗去除殘留污染物。

二、前道工藝（芯片加工）

3. 氧化
   在晶圓表面形成二氧化硅（SiO?）絕緣層，方法包括：

• 干法氧化：純氧環境，生成薄而致密的氧化層（柵極氧化層常用）。

• 濕法氧化：水蒸氣參與，速度快但密度低，用于保護層。

4. 光刻

   
   

• 涂膠：旋涂法均勻覆蓋光刻膠（正膠受光分解，負膠受光聚合）。

• 曝光：通過掩膜版用紫外光或極紫外光（EUV）將電路圖案轉移到光刻膠。

• 顯影：溶解未曝光區域光刻膠，露出底層氧化膜。

5. 刻蝕

• 濕法刻蝕：化學溶液各向同性刻蝕，成本低但精度有限。

• 干法刻蝕：等離子體各向異性刻蝕（如反應離子刻蝕RIE），適合納米級精細結構。

6. 薄膜沉積
   交替沉積導電金屬（銅、鋁）和絕緣介質層（SiO?、氮化硅），方法包括：

• 化學氣相沉積（CVD）：用于均勻薄膜。

• 物理氣相沉積（PVD）：如濺射，用于金屬層。

7. 摻雜（離子注入）
   通過高能離子束注入改變硅的電學特性（如形成P/N結），后續退火修復晶格缺陷。

8. 互連與研磨
   通過光刻和刻蝕形成多層金屬導線連接元件，化學機械拋光（CMP）確保層間平整。

三、后道工藝（封裝測試）

9. 晶圓測試
   探針臺對晶圓上的每個芯片進行電性測試，標記缺陷單元。

10. 切割與封裝

• 切割：金剛石刀片或激光將晶圓分割為單個芯片。

• 封裝：引線鍵合、塑封（環氧樹脂）、安裝引腳，類型包括QFP、BGA等。

11. 終測與質檢
    測試封裝后芯片的電氣性能、散熱及可靠性，剔除不合格品。

關鍵技術支持

• 超凈環境：芯片加工需在Class 1-10級無塵室進行，避免顆粒污染。

• 精密設備：如光刻機（ASML EUV）、刻蝕機（Lam Research）、CMP設備等。

• 材料創新：高介電材料（HKMG）、3D封裝技術提升性能。

流程圖示意

晶圓制備 → 氧化 → 光刻 → 刻蝕 → 薄膜沉積 → 摻雜 → 互連 → 測試 → 切割 → 封裝 → 終測

通過以上流程，一粒沙最終轉化為包含數十億晶體管的芯片，支撐現代電子設備運行。更多技術細節可參考等來源。

芯片清洗劑介紹

·         合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

·         合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。