一、CPO制造工藝流程概述

CPO（共封裝光學/光電共封裝）是將交換芯片和光引擎共同裝配在同一個Socketed（插槽）上，形成芯片和模組的共封裝。其制造工藝流程是一個涉及多領域技術融合的復雜過程。

首先，在原材料準備方面，需要準備好光電芯片、光學器件等關鍵組件，這些組件是構建CPO的基礎材料。例如，對于采用硅光子的CPO技術，硅光模塊和CMOS芯片就是重要的原材料 。

然后是封裝過程，這個過程包括將光電芯片和其他光學器件按照設計要求進行組合封裝。CPO技術常采用高級封裝的形式，如2.5D或者3D封裝，把硅光模塊和CMOS芯片集成在一起，從而在成本、功耗和尺寸上提升數(shù)據(jù)中心應用中的光互連技術 。

在整個制造工藝流程中，還需要考慮光學設計的精確性。因為要實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率的大幅提升，就需要合理安排各個組件的位置和連接方式，確保光信號在傳輸過程中的損耗最小化。同時，為了保證CPO產(chǎn)品的性能，在封裝過程中還需要注意減少組件間的熱應力、機械應力等因素，以提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性 。

另外，由于CPO產(chǎn)品在工作過程中會產(chǎn)生熱量，散熱也是制造工藝流程中需要考慮的重要環(huán)節(jié)。比如通過液冷板降溫等方式來降低功耗，確保產(chǎn)品在正常工作溫度范圍內(nèi)運行，以滿足其在不同應用場景下的需求，如高算力場景下對設備功耗和性能的要求等 。

二、CPO制造工藝流程的關鍵步驟

（一）組件準備

1. 光電芯片選型

• 這是CPO制造的起始步驟。光電芯片的性能直接影響CPO的整體性能。對于不同的應用場景，需要選擇合適的光電芯片。例如，在基于VCSEL的多模方案中，適用于30m及以下距離，主要面向超算及AI集群的短距光互聯(lián)；而基于硅光集成的單模方案則適用于2公里及以下距離，主要面向大型數(shù)據(jù)中心內(nèi)部光互聯(lián) 。

• 光電芯片的參數(shù)如響應速度、光輸出功率等需要滿足CPO設計要求。例如，在評估光電共封裝技術性能時，光電轉(zhuǎn)換效率公式為η=(光輸出功率/輸入光功率)×100%，通過這個公式可以直觀地衡量光電芯片是否符合CPO的性能需求 。

2. 其他光學器件準備

• 除了光電芯片，還需要準備如光收發(fā)器、光引擎等光學器件。這些器件的質(zhì)量和性能同樣對CPO至關重要。以光引擎為例，它是可插拔光模塊的一種，在CPO中與交換芯片共同裝配，其性能的好壞影響著光信號的傳輸質(zhì)量和效率。

• 對于這些光學器件，在準備過程中需要進行嚴格的質(zhì)量檢測，確保其符合CPO制造的標準，如光學器件的光學性能指標（如折射率、透過率等）要在規(guī)定范圍內(nèi)。

（二）封裝集成

1. 芯片與模塊對準

• 在將光電芯片和光引擎等模塊進行封裝時，首先要確保芯片與模塊的精確對準。這一過程需要高精度的設備和技術手段。例如，在2.5D或者3D封裝中，毫米甚至微米級的偏差都可能導致光信號傳輸?shù)膰乐負p耗或者電路連接的故障。

• 利用先進的對準技術，如光學對準、機械對準與電子對準相結(jié)合的方式，將光電芯片和其他模塊準確地放置在預定位置，為后續(xù)的連接和封裝奠定基礎。

2. 高級封裝操作

• 采用高級封裝形式，如2.5D或者3D封裝技術，將光電芯片和其他相關芯片（如CMOS芯片）集成在一起。這種封裝形式能夠大大提高集成度，減少產(chǎn)品的體積。

• 在封裝過程中，需要使用特殊的封裝材料，這些材料要具備良好的光學性能、電氣性能和熱性能。例如，封裝材料要能夠有效地傳導熱量，減少熱應力對芯片和器件的影響，同時還要保證光信號的傳輸效率。

• 封裝過程中的連接技術也是關鍵，例如采用高密度及高帶寬的連接器技術，確保芯片與芯片、芯片與模塊之間的高速信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。

（三）性能測試與優(yōu)化

1. 光電性能測試

• 對封裝后的CPO進行光電性能測試是必不可少的步驟。通過測試光輸出效率、光電轉(zhuǎn)換效率、響應速度等指標，來評估CPO是否滿足設計要求。例如，使用專業(yè)的光電測試設備，測量在不同輸入光功率下的光輸出功率，計算光電轉(zhuǎn)換效率是否達到預期的數(shù)值。

• 如果測試結(jié)果不滿足要求，就需要對CPO的制造工藝進行調(diào)整，如優(yōu)化芯片與模塊的連接方式、更換封裝材料等，以提高光電性能。

2. 穩(wěn)定性與可靠性測試

• 進行穩(wěn)定性和可靠性測試，包括在不同環(huán)境條件（如高溫、高濕、高輻射等）下測試CPO的工作狀態(tài)。這是因為CPO在實際應用中可能會面臨各種惡劣的環(huán)境。

• 通過長時間的測試，觀察CPO是否會出現(xiàn)性能下降、信號中斷等問題。如果存在穩(wěn)定性和可靠性問題，就需要對制造工藝中的散熱設計、組件間的應力處理等方面進行改進。

三、CPO制造工藝中的先進技術

（一）硅光子技術

1. 硅光集成

• 硅光子技術在CPO制造中具有重要地位。硅光集成是將硅光模塊和其他相關芯片（如CMOS芯片）集成在一起的關鍵技術。通過硅光集成，可以在同一硅基片上實現(xiàn)光的產(chǎn)生、傳輸、調(diào)制和探測等功能。

• 例如，在CPO中采用硅光集成技術，能夠?qū)⒐庖婧徒粨Q芯片集成在同一個封裝內(nèi)，大大縮短了光信號傳輸?shù)木嚯x，減少了信號損耗。與傳統(tǒng)的通過PCB板連接硅光模塊和CMOS芯片的方式相比，硅光集成技術可以顯著提高光電轉(zhuǎn)換效率和數(shù)據(jù)傳輸速率 。

2. 突破帶寬瓶頸

• 硅光子技術能夠輕松突破現(xiàn)有帶寬的瓶頸。在數(shù)據(jù)中心等對帶寬要求極高的應用場景中，傳統(tǒng)的光通信技術可能會受到帶寬限制，而硅光子技術可以提供更高的帶寬。例如，隨著網(wǎng)絡速度提高至800Gbps以上，可插拔光組件將遭遇密度和功率問題，而硅光子技術的CPO成為業(yè)界亟需的封裝替代方案，能夠滿足高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸需求 。

（二）高級封裝技術

1. 2.5D和3D封裝

• 2.5D和3D封裝技術是CPO制造中的先進封裝技術。2.5D封裝是在封裝基板和芯片之間加入了一個硅中介層，通過硅中介層上的微凸點將芯片與基板連接起來。這種封裝方式可以提高芯片的集成度，減少封裝的尺寸。

• 3D封裝則是將芯片直接堆疊在一起，實現(xiàn)更高的集成度。在CPO制造中，采用2.5D或者3D封裝技術可以將光電芯片、CMOS芯片等集成在一起，不僅提高了產(chǎn)品的性能，還能降低功耗和成本。例如，將硅光模塊和CMOS芯片采用3D封裝集成后，它們之間的數(shù)據(jù)連接質(zhì)量相比PCB板連接有很大改善，能夠降低功耗，并且在大規(guī)模量產(chǎn)之后，成本也能得到改善 。

2. 封裝材料創(chuàng)新

• 新型的封裝材料也是CPO制造工藝中的先進技術之一。這些封裝材料需要具備優(yōu)異的光學性能、熱性能和電氣性能。例如，一些具有高導熱性的封裝材料可以有效地將芯片產(chǎn)生的熱量傳導出去，避免芯片過熱影響性能。

• 同時，封裝材料的光學性能要能夠保證光信號在封裝內(nèi)部的高效傳輸，如具有合適的折射率、低散射率等特性的材料，可以減少光信號的損耗。

（三）散熱技術

1. 液冷技術

• 液冷技術在CPO制造工藝中是解決散熱問題的有效手段。在高算力場景下，CPO設備產(chǎn)生的熱量較高，傳統(tǒng)的風冷方式可能無法滿足散熱需求。液冷技術通過冷卻液在CPO設備的散熱通道中循環(huán)，將熱量帶走。

• 例如，將CPO設備（如交換機等）和光模塊等耦合在背板PCB上，并通過液冷板降溫，可以有效地降低功耗。液冷技術相比風冷具有更高的散熱效率，可以確保CPO在高負載運行時的穩(wěn)定性和可靠性 。

2. 散熱結(jié)構優(yōu)化

• 除了采用液冷技術，散熱結(jié)構的優(yōu)化也是CPO制造工藝中的重要散熱技術。通過設計合理的散熱結(jié)構，如增加散熱鰭片的面積、優(yōu)化散熱通道的布局等，可以提高散熱效率。

• 在CPO封裝內(nèi)部，合理安排散熱結(jié)構可以使熱量更快速地散發(fā)出去，減少熱應力對芯片和器件的影響，從而提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

四、CPO制造流程的實例分析

以亨通洛克利推出的基于硅光技術的3.2T CPO工作樣機為例。

在組件準備階段，選擇了合適的硅光芯片和核心交換芯片。硅光芯片具備高帶寬、低功耗等特點，能夠滿足3.2T數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨螅诵慕粨Q芯片則具有高效的數(shù)據(jù)處理能力。這些芯片在選型過程中經(jīng)過了嚴格的性能測試和評估，確保其符合CPO樣機的設計要求 。

在封裝集成階段，采用了核心交換芯片與光引擎在同一高速主板上的協(xié)同封裝概念。這一過程中，首先進行了芯片與模塊的精確對準，利用高精度的對準設備確保光引擎與核心交換芯片的準確連接。然后，采用了先進的封裝技術（可能是2.5D或者3D封裝類似的技術）將硅光芯片和其他相關芯片集成在一起。在封裝過程中，使用了特殊的封裝材料，這些材料既能保證良好的電氣連接，又能有效地傳導熱量，減少熱應力對芯片的影響。

在性能測試與優(yōu)化階段，對封裝后的3.2T CPO樣機進行了全面的光電性能測試。測試結(jié)果顯示，通過縮短光電轉(zhuǎn)換功能到核心交換芯片的距離，達到了縮短高速電通道鏈路的效果。在光電轉(zhuǎn)換效率方面，通過測量光輸入和光輸出功率，計算得到的光電轉(zhuǎn)換效率符合預期目標。同時，在穩(wěn)定性和可靠性測試中，將樣機置于不同的環(huán)境條件下（如高溫、高濕環(huán)境）進行長時間測試，未發(fā)現(xiàn)明顯的性能下降或信號中斷問題。這表明在制造工藝中，散熱設計、組件間的應力處理等方面的設計是合理有效的。

通過這個實例可以看出，CPO制造流程中的各個環(huán)節(jié)緊密相連，從組件準備到封裝集成再到性能測試與優(yōu)化，每個步驟都對最終產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性和可靠性有著重要的影響。

五、CPO制造工藝流程的優(yōu)化方法

（一）基于數(shù)據(jù)分析的優(yōu)化

1. 數(shù)據(jù)收集與關鍵指標確定

• 在CPO制造工藝流程中，要收集各個環(huán)節(jié)的數(shù)據(jù)，如芯片制造過程中的工藝參數(shù)（蝕刻尺寸、晶圓尺寸等）、封裝過程中的溫度、壓力等參數(shù)以及性能測試中的光電轉(zhuǎn)換效率、響應速度等數(shù)據(jù)。

• 確定關鍵性能指標（KPIs），如光電轉(zhuǎn)換效率、產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性等。這些KPIs是衡量CPO制造工藝優(yōu)劣的重要標準。例如，通過分析光電轉(zhuǎn)換效率的數(shù)據(jù)，可以了解制造工藝對光信號轉(zhuǎn)換的影響程度。

2. 數(shù)據(jù)分析與問題識別

• 利用數(shù)據(jù)分析工具（如數(shù)據(jù)挖掘、機器學習等技術）對收集到的數(shù)據(jù)進行深入分析。例如，通過對大量的光電轉(zhuǎn)換效率數(shù)據(jù)進行分析，可以建立數(shù)據(jù)模型，找出影響光電轉(zhuǎn)換效率的關鍵因素，如芯片的質(zhì)量、封裝材料的光學性能等。

• 通過數(shù)據(jù)分析識別出制造工藝流程中的問題環(huán)節(jié)。例如，如果在穩(wěn)定性測試中發(fā)現(xiàn)CPO在高溫環(huán)境下性能下降，通過分析相關數(shù)據(jù)（如封裝過程中的熱應力數(shù)據(jù)、散熱結(jié)構的數(shù)據(jù)等）可以確定是散熱設計存在問題還是封裝材料的熱性能不佳。

（二）工藝流程改進

1. 流程重組與簡化

• 對CPO制造工藝流程進行重新審視，找出可以簡化或者合并的步驟。例如，如果在芯片準備階段和封裝階段存在一些重復的檢測環(huán)節(jié)，可以考慮將這些環(huán)節(jié)合并，以減少生產(chǎn)時間和成本。

• 重新規(guī)劃工藝流程的順序，以提高生產(chǎn)效率。比如，在某些情況下，可以先進行部分性能測試，然后再進行后續(xù)的封裝步驟，這樣如果在性能測試中發(fā)現(xiàn)問題，可以及時調(diào)整，避免在后續(xù)工序中造成更大的浪費。

2. 引入先進技術和工藝

• 在CPO制造中不斷引入先進的技術和工藝。例如，隨著硅光子技術的不斷發(fā)展，及時將新的硅光集成技術引入到制造工藝中，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率和產(chǎn)品的性能。

• 采用新的封裝技術，如更先進的2.5D或者3D封裝技術的改進版本，可以進一步提高芯片的集成度和產(chǎn)品的可靠性。同時，引入新的散熱技術，如更高效的液冷技術或者新型的散熱結(jié)構設計，可以解決CPO在高功率運行時的散熱問題。

（三）設備與人員管理

1. 設備維護與升級

• 定期對CPO制造過程中的設備進行維護，確保設備的正常運行。例如，對于用于芯片蝕刻的設備，定期檢查設備的蝕刻精度，清洗設備的關鍵部件，以保證蝕刻尺寸的準確性。

• 根據(jù)制造工藝的發(fā)展需求，及時對設備進行升級。如隨著芯片制造工藝向更小的蝕刻尺寸發(fā)展，需要對蝕刻設備進行升級，以滿足新的工藝要求。

2. 人員培訓與技能提升

• 對參與CPO制造的人員進行專業(yè)培訓，包括芯片制造、封裝技術、性能測試等方面的知識和技能培訓。例如，對負責芯片對準的操作人員進行高精度對準技術的培訓，提高其操作的準確性。

• 鼓勵員工不斷學習和掌握新的技術和工藝，建立員工技能提升的激勵機制。這樣可以提高員工的整體素質(zhì)，從而提高CPO制造工藝的水平。

功率器件芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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