Hybrid Bonding（混合鍵合）作為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，近年來(lái)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中受到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。以下是對(duì)Hybrid Bonding技術(shù)的詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)概述

Hybrid Bonding，又稱(chēng)為直接鍵合互連（Direct Bond Interconnect, DBI），是一種實(shí)現(xiàn)芯片間高密度、高性能互聯(lián)的封裝技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)直接銅對(duì)銅（Cu-Cu）的連接方式，取代了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)或焊球（Bump）互連，從而能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)超精細(xì)間距的堆疊和封裝，達(dá)到三維集成的目的。

二、技術(shù)原理

Hybrid Bonding技術(shù)的核心在于兩個(gè)或多個(gè)芯片的金屬層（通常是銅層）被精密對(duì)準(zhǔn)并直接壓合在一起，形成直接電學(xué)接觸。為了實(shí)現(xiàn)良好的連接效果，需要在芯片表面進(jìn)行特殊的處理，如沉積一層薄且均勻的介電材料（如SiO2或SiCN），并在其上制備出微米甚至納米級(jí)別的銅墊和通孔（TSV）。這些銅墊和通孔將芯片內(nèi)部的電路與外部相連，使得數(shù)據(jù)傳輸速度更快、功耗更低，同時(shí)極大地提升了芯片的集成度。

三、技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1. 極高密度互連：相較于傳統(tǒng)鍵合技術(shù)，Hybrid Bonding可以實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)乃至納米級(jí)的互連間距，允許在更小的面積上放置更多的連接點(diǎn)，大大增加了芯片間的數(shù)據(jù)通信帶寬。

2. 低電阻、低延遲：由于省去了中間介質(zhì)如焊錫等材料，直接銅對(duì)銅的連接具有更低的電阻，降低了信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p失，同時(shí)也減少了信號(hào)傳播的時(shí)間延遲。

3. 更好的散熱性能：緊湊的結(jié)構(gòu)和直接的導(dǎo)電路徑有助于改善熱管理，降低發(fā)熱問(wèn)題，對(duì)于高性能計(jì)算、人工智能和其他高速運(yùn)算應(yīng)用尤其重要。

4. 小型化與高性能封裝：Hybrid Bonding技術(shù)推動(dòng)了2.5D和3D封裝的發(fā)展，使得芯片能夠以垂直堆疊的方式整合到一起，顯著縮小了最終產(chǎn)品的體積，并提升整體系統(tǒng)性能。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

Hybrid Bonding技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于：

• 圖像傳感器（CIS）：索尼等公司最早將Hybrid Bonding技術(shù)應(yīng)用于智能手機(jī)影像傳感器中，實(shí)現(xiàn)了高性能的圖像數(shù)據(jù)處理。

• 高端處理器：AMD、英特爾等公司在其高端CPU和GPU產(chǎn)品中采用了Hybrid Bonding技術(shù)，以提升性能并降低功耗。

• 高帶寬內(nèi)存（HBM）：SK海力士、三星等公司正在將Hybrid Bonding技術(shù)應(yīng)用于HBM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)中，以提高內(nèi)存堆疊的密度和速度。

五、技術(shù)挑戰(zhàn)

盡管Hybrid Bonding技術(shù)具有諸多優(yōu)勢(shì)，但其實(shí)施也面臨著諸多挑戰(zhàn)，如嚴(yán)格的潔凈室環(huán)境要求、高精度對(duì)準(zhǔn)工藝、以及確保大面積晶圓上數(shù)十億個(gè)連接點(diǎn)都成功鍵合的良率控制等難題。

綜上所述，Hybrid Bonding作為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，正在逐步改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局，為芯片性能的提升和功耗的降低提供了強(qiáng)有力的支持。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷拓展，Hybrid Bonding技術(shù)將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用和推廣。

先進(jìn)芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

·         合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠(chǎng)商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。