Hybrid Bonding（混合鍵合）作為先進封裝領域的關鍵技術，近年來在半導體產業中受到了廣泛關注和應用。以下是對Hybrid Bonding技術的詳細介紹：

一、技術概述

Hybrid Bonding，又稱為直接鍵合互連（Direct Bond Interconnect, DBI），是一種實現芯片間高密度、高性能互聯的封裝技術。該技術通過直接銅對銅（Cu-Cu）的連接方式，取代了傳統的凸點或焊球（Bump）互連，從而能夠在極小的空間內實現超精細間距的堆疊和封裝，達到三維集成的目的。

二、技術原理

Hybrid Bonding技術的核心在于兩個或多個芯片的金屬層（通常是銅層）被精密對準并直接壓合在一起，形成直接電學接觸。為了實現良好的連接效果，需要在芯片表面進行特殊的處理，如沉積一層薄且均勻的介電材料（如SiO2或SiCN），并在其上制備出微米甚至納米級別的銅墊和通孔（TSV）。這些銅墊和通孔將芯片內部的電路與外部相連，使得數據傳輸速度更快、功耗更低，同時極大地提升了芯片的集成度。

三、技術優勢

1. 極高密度互連：相較于傳統鍵合技術，Hybrid Bonding可以實現亞微米級乃至納米級的互連間距，允許在更小的面積上放置更多的連接點，大大增加了芯片間的數據通信帶寬。

2. 低電阻、低延遲：由于省去了中間介質如焊錫等材料，直接銅對銅的連接具有更低的電阻，降低了信號傳輸的能量損失，同時也減少了信號傳播的時間延遲。

3. 更好的散熱性能：緊湊的結構和直接的導電路徑有助于改善熱管理，降低發熱問題，對于高性能計算、人工智能和其他高速運算應用尤其重要。

4. 小型化與高性能封裝：Hybrid Bonding技術推動了2.5D和3D封裝的發展，使得芯片能夠以垂直堆疊的方式整合到一起，顯著縮小了最終產品的體積，并提升整體系統性能。

四、應用領域

Hybrid Bonding技術已被廣泛應用于多個領域，包括但不限于：

• 圖像傳感器（CIS）：索尼等公司最早將Hybrid Bonding技術應用于智能手機影像傳感器中，實現了高性能的圖像數據處理。

• 高端處理器：AMD、英特爾等公司在其高端CPU和GPU產品中采用了Hybrid Bonding技術，以提升性能并降低功耗。

• 高帶寬內存（HBM）：SK海力士、三星等公司正在將Hybrid Bonding技術應用于HBM產品的開發中，以提高內存堆疊的密度和速度。

五、技術挑戰

盡管Hybrid Bonding技術具有諸多優勢，但其實施也面臨著諸多挑戰，如嚴格的潔凈室環境要求、高精度對準工藝、以及確保大面積晶圓上數十億個連接點都成功鍵合的良率控制等難題。

綜上所述，Hybrid Bonding作為先進封裝領域的關鍵技術，正在逐步改變半導體產業的格局，為芯片性能的提升和功耗的降低提供了強有力的支持。隨著技術的不斷進步和市場的不斷拓展，Hybrid Bonding技術將在更多領域得到應用和推廣。

先進芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

·         合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。