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所以領先
國產汽車功率模塊技術的發展,特別是在封裝工藝上的創新,是緊跟新能源汽車行業蓬勃需求和技術迭代而不斷突破的。下面我將為你詳細分析其發展歷程與封裝工藝的創新。
中國汽車功率半導體,特別是新能源汽車用的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和SiC(碳化硅)模塊技術,從無到有、從弱到強,大致經歷了以下幾個階段:
其發展過程主要有以下特點:
從依賴進口到自主可控:早期完全依賴英飛凌、三菱等國際大廠,如今比亞迪、斯達半導、中車時代等國內廠商已在部分領域實現批量供應和應用。
技術路線緊跟國際前沿:從最初的IGBT芯片技術突破,到后續的模塊封裝創新(如HPD、DSC等),再到如今重點發展的SiC MOSFET技術,國內企業基本與國際領先技術保持同步研發和應用節奏。
產研結合緊密:功率半導體技術的發展與新能源汽車市場的需求緊密結合,主機廠(如比亞迪、理想)與專業半導體廠商(如芯長征、臻驅科技)協同創新模式成效顯著。
封裝工藝對于功率模塊的性能、可靠性、功率密度和散熱能力至關重要。國產功率模塊在封裝技術上的創新主要體現在以下幾個方面:
雙面散熱(Dual Side Cooling, DSC)與針翅散熱(Pin-Fin):傳統模塊多采用單面散熱,基板底部通過導熱硅脂傳導到冷板上。雙面散熱技術讓芯片上下表面都能有效導熱,顯著降低熱阻和結溫。Pin-Fin設計則將散熱底板做成針翅狀,可直接插入冷卻液中,實現直接液冷,散熱效率和功率密度大幅提升(如芯長征的HPD封裝模塊)。理想汽車的最新專利也通過優化封裝內外部端子的連接結構,減輕了熱應力導致的基板與封裝體分層問題,提升了可靠性和壽命。
雙面燒結(Silver Sintering):這是目前先進模塊封裝的關鍵工藝。比亞迪在其1200V 1040A SiC模塊中應用了芯片上下表面銀燒結技術。相比傳統焊接,燒結銀的導熱率提升可達10倍,連接層可靠性提高5倍以上,允許模塊工作在更高結溫(如175℃),從而提升輸出功率和能力。紅旗的全國產碳化硅模塊也采用了高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝。
銅鍵合線/銅帶替代鋁線:傳統鍵合線多為鋁線。銅線和銅帶具有更低的電阻和更高的熱疲勞能力,能承受更大的電流和更高的工作溫度,減少鍵合點脫落的風險,提升模塊的載流能力和壽命。
塑封封裝(Molding):與傳統環氧樹脂灌封或硅凝膠填充+陶瓷蓋板不同,塑封技術使用高溫注塑材料一次性成型封裝保護。它能提供更好的機械強度、耐腐蝕性和絕緣性,有助于實現更緊湊的模塊設計和更高的可靠性。紅旗的1200V碳化硅功率模塊就采用了“大尺寸環氧樹脂轉模塑封”技術。
新材料應用:
下表梳理了部分國產汽車功率模塊的封裝工藝創新及其應用:
廠商/品牌 | 模塊型號/類型 | 核心封裝工藝創新 | 主要特點與優勢 | 應用領域/狀態 |
比亞迪半導體 | 1200V 1040A SiC模塊 | 雙面銀燒結(芯片上下表面) | 導熱率提升顯著,高可靠性,結溫175℃,功率提升近30% | 新能源汽車主驅 |
紅旗 | 1200V 塑封2in1碳化硅模塊 | 環氧樹脂轉模塑封,銀燒結芯片貼裝,三端子母排疊層結構,銅線互聯,橢圓Pin-Fin水道 | 寄生電感≤6.5nH,結溫175℃,輸出電流有效值550A,全國產化 | 新能源汽車電驅 |
芯長征 | MPFS820R08PNZ (HPD) | HPD封裝(兼容市場主流),Pin-Fin直接液冷散熱底板 | 額定電壓750V,最大電流820A,低熱阻,高效散熱,內置NTC | 新能源汽車主驅電控 |
理想汽車 | 功率模塊封裝結構專利 | 優化外部端子與基板的電連接結構(通過傳導件) | 減輕封裝體與基板間應力,降低分層風險,提升隔離保護和可靠性 | 新能源汽車(專利) |
行業先進水平 | B2 塑封DSC/SSC | 雙面水冷(DSC)/單面直接水冷(SSC),塑封 | 結構緊湊,散熱效率極高,功率密度大 | 新能源汽車主驅 |
行業先進水平 | HPD Pin-Fin | 直接散熱底板,Pin-Fin設計 | 直接液冷,顯著提高散熱效率和功率密度 | 新能源汽車主驅 |
國產汽車功率模塊技術能取得快速發展,主要得益于:
新能源汽車市場的強勁需求:中國是全球最大的新能源汽車市場,快速增長的銷量為國產功率模塊提供了巨大的市場需求和應用驗證場所。
國家政策與產業戰略的支持:國家將新能源汽車和半導體產業置于戰略高度,通過“十四五”規劃等政策引導和支持關鍵技術攻關和國產化替代。
整車廠與半導體企業的緊密協作:比亞迪、理想、宇通等整車廠深度介入甚至自研功率模塊,使其更貼合實際應用需求,加速了技術迭代和產業化應用。
第三代半導體材料的機遇:SiC等第三代半導體技術的發展與汽車電動化趨勢同步,國內廠商與國際巨頭差距相對傳統硅器件更小,抓住了技術轉型的窗口期。
未來國產汽車功率模塊技術將繼續向以下幾個方向發展:
更高功率密度與效率:通過集成化(如智能功率模塊IPM、逆導型RC-IGBT)、新材料(如Si?N?陶瓷、AlSiC底板)、新拓撲(如三電平)和更先進的制程工藝(如微溝槽柵)來持續提升功率密度和轉換效率。
更高集成與智能化:在模塊內集成傳感器(如電流傳感器、溫度傳感器),實現更精準的狀態監控和快速保護(如短路保護在1~2μs內),提升系統智能化和可靠性。
電壓平臺升級與SiC普及:隨著800V高壓平臺的推廣,1200V及更高耐壓的SiC MOSFET將成為主流,其耐高壓、低損耗、高頻化的優勢將進一步凸顯。
持續的成本優化與國產替代:通過擴大晶圓尺寸(從6寸到8寸)、提升良率、實現規模化生產以及垂直整合(IDM或Virtual-IDM模式)來降低成本,提升競爭力,加速國產替代進程。
國產汽車功率模塊技術走過了一條從技術引進、學習模仿到自主創新、甚至局部領先的道路。封裝工藝的創新是提升模塊性能、可靠性和功率密度的關鍵,雙面散熱、銀燒結、銅互聯、塑封等先進技術的應用,充分體現了國內企業在材料和工藝領域的深耕與突破。
未來,隨著新能源汽車對電驅動系統要求愈發嚴苛,國產功率模塊技術必將朝著更高效、更集成、更智能、更可靠的方向持續演進,為中國新能源汽車產業的持續領先提供堅實的“芯臟”保障。
汽車功率模塊清洗劑-合明科技芯片封裝前錫膏助焊劑清洗劑介紹:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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