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中國(guó)芯片先進(jìn)工藝與先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
在后摩爾時(shí)代,芯片制程工藝受成本激增和技術(shù)壁壘影響,改進(jìn)速度逐漸放緩,而先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升芯片性能的關(guān)鍵路徑。中國(guó)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域積極布局,通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和材料國(guó)產(chǎn)化突破,正逐步在全球市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。
突破制程瓶頸的關(guān)鍵路徑:隨著28nm、7nm、5nm等制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)成本分別達(dá)到5130萬(wàn)美元、2.97億美元、5.40億美元,單純依賴摩爾定律提升性能的模式面臨挑戰(zhàn)。先進(jìn)封裝通過(guò)2.5D/3D集成、芯粒(Chiplet)等技術(shù),可突破單芯片光刻面積限制和成品率問(wèn)題,在成本可控前提下實(shí)現(xiàn)性能躍升。
AI算力需求的直接推動(dòng):AI芯片對(duì)高運(yùn)算性能的需求催生了FC-BGA等先進(jìn)封裝形式,其中ABF載板作為FC-BGA的核心部件,因支持更精密線路和高腳數(shù)傳輸,成為CPU、GPU、FPGA等高端芯片的標(biāo)配。日本旭化成近期因PSPI(先進(jìn)封裝“超級(jí)膠水”)產(chǎn)能不足導(dǎo)致供應(yīng)短缺,側(cè)面反映出先進(jìn)封裝市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。
國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略的重要方向:中國(guó)半導(dǎo)體材料整體國(guó)產(chǎn)化率約15%,封裝材料國(guó)產(chǎn)化率不足30%,高端領(lǐng)域依賴進(jìn)口。ABF載板等關(guān)鍵材料的全球市場(chǎng)份額被中國(guó)臺(tái)灣、日本廠商主導(dǎo)(前五大廠商占比超79%),國(guó)產(chǎn)化替代空間廣闊。
技術(shù)路徑創(chuàng)新:華為CEO任正非提出的“疊加和集群”方法,本質(zhì)上是通過(guò)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片性能提升。例如,通過(guò)多芯片疊加(如3D集成)和集群計(jì)算優(yōu)化,可使計(jì)算結(jié)果接近最先進(jìn)制程水平。公開論文顯示,封裝技術(shù)能有效提高集群計(jì)算效率,進(jìn)一步驗(yàn)證了其對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略價(jià)值。
材料與工藝突破:
ABF載板:相較于傳統(tǒng)BT載板,ABF材質(zhì)在信號(hào)傳輸性、精密線路加工等方面優(yōu)勢(shì)顯著,占高端封裝材料成本的70%-80%。預(yù)計(jì)到2028年,ABF載板在全球芯片載板市場(chǎng)的占比將達(dá)57%,市場(chǎng)規(guī)模有望從2023年的125億美元增至181億美元。
PSPI與濕電子化學(xué)品:PSPI作為先進(jìn)封裝必需的鍵合材料,因AI需求激增陷入供應(yīng)緊張;濕電子化學(xué)品、封裝基板等材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速,推動(dòng)PCB龍頭企業(yè)向高端材料領(lǐng)域布局。
應(yīng)用領(lǐng)域拓展:先進(jìn)封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于:
消費(fèi)電子:智能手機(jī)SoC芯片采用3D堆疊封裝提升集成度;
數(shù)據(jù)中心:AI服務(wù)器GPU通過(guò)2.5D封裝實(shí)現(xiàn)高帶寬互聯(lián);
汽車電子:車規(guī)級(jí)芯片通過(guò)先進(jìn)封裝提升可靠性和散熱性能。
市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)潛力:2024年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)519億美元,2028年將增至786億美元,年化復(fù)合增速10.05%,遠(yuǎn)超傳統(tǒng)封裝的3.2%。中國(guó)封測(cè)廠商市場(chǎng)份額提升(如長(zhǎng)電科技位列全球第三),為ABF載板等材料國(guó)產(chǎn)化提供了下游支撐。
核心瓶頸與突破進(jìn)展:
材料與設(shè)備依賴:ABF載板的生產(chǎn)設(shè)備和關(guān)鍵原材料(如超高純度樹脂)仍依賴進(jìn)口;
技術(shù)工藝壁壘:精密線路加工(線寬/線距≤2μm)和良率控制難度高;
國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展:國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)已啟動(dòng)ABF載板量產(chǎn)項(xiàng)目,部分廠商在BT載板領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步向高端市場(chǎng)滲透。
技術(shù)融合加速:先進(jìn)封裝與Chiplet、異構(gòu)集成等技術(shù)深度融合,推動(dòng)“More than Moore”時(shí)代的到來(lái);
材料國(guó)產(chǎn)化攻堅(jiān):重點(diǎn)突破ABF載板、PSPI、高端引線框架等材料的技術(shù)壁壘,構(gòu)建自主供應(yīng)鏈體系;
政策與資本協(xié)同:通過(guò)專項(xiàng)補(bǔ)貼、產(chǎn)業(yè)基金等方式支持企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)與研發(fā),同時(shí)加強(qiáng)與下游封測(cè)廠商的聯(lián)動(dòng),形成“設(shè)計(jì)-制造-封裝”協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)。
先進(jìn)封裝技術(shù)不僅是中國(guó)突破高端芯片制程限制的“繞道超車”路徑,更是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。隨著國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速和技術(shù)創(chuàng)新深化,中國(guó)有望在未來(lái)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)ABF載板等關(guān)鍵材料的規(guī)?;娲?,推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)。
國(guó)產(chǎn)清洗劑-合明科技芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。