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中國功率SiC芯片封裝產業發展情況全解析
定義:功率SiC芯片封裝是將碳化硅(SiC)芯片與外部電路連接并封裝保護的關鍵環節,直接影響器件效率、可靠性和成本,是新能源汽車、光伏逆變器等高端裝備的“功率心臟”。
關鍵事實:
SiC器件較傳統硅基IGBT效率提升10%-20%,體積縮小40%,新能源汽車搭載后可降低能耗15%以上(如特斯拉Model 3逆變器效率達99%)。
封裝成本占SiC模塊總成本的30%-50%,是國產化替代的核心瓶頸之一。
最新發展:國內企業突破“芯片-封裝-測試”一體化能力,如芯塔電子湖州封裝產線實現年產100萬套模塊,年產值預計達3億元。
定義:推動產業增長的底層邏輯與核心應用領域。
關鍵趨勢:
新能源汽車:2025年國內新能源汽車SiC滲透率預計超50%,驅動車規級封裝需求爆發(如比亞迪、蔚來800V高壓平臺均采用SiC模塊)。
光伏/儲能:1500V光伏逆變器采用SiC后,發電效率提升2%,對應度電成本下降0.03元,2023年國內相關市場規模超50億元。
政策支持:“十四五”新材料規劃將SiC列為重點,地方政府對封裝產線給予20%-30%的固定資產補貼。
數據支撐:全球SiC封裝市場規模2023年達85億美元,中國占比約35%,預計2025年國內市場增速超40%。
定義:封裝工藝創新與產業鏈自主可控的關鍵進展。
核心突破:
封裝技術:國內企業掌握DIP(雙列直插)、TO-247等成熟封裝工藝,華虹半導體、斯達半導突破車規級SiC MOSFET模塊封裝良率至99.5%。
材料自主化:臻芯龍為首條物理法高純石墨全自動生產線貫線,打破國外對高純SiC襯底材料的壟斷[3]。
產能擴張:2023年國內SiC封裝產能超300萬套/年,芯塔電子、士蘭微等企業加速擴產,目標2025年總產能突破1000萬套。
挑戰:高端封裝設備(如倒裝焊設備)仍依賴進口,占設備總成本的60%以上。
定義:市場參與者動態與產業發展的核心瓶頸。
競爭格局:
國際巨頭:英飛凌、安森美占據全球70%高端市場,技術優勢在于溝槽柵工藝與模塊集成設計。
國內頭部:斯達半導(車規級市占率國內第一)、比亞迪半導體(垂直整合車企需求)、芯塔電子(工業級封裝龍頭)。
核心痛點:
成本高企:SiC芯片價格是硅基IGBT的3-5倍,封裝環節良率每提升1%可降低成本2%-3%。
專利壁壘:國際企業掌控80%以上核心專利,國內企業面臨交叉授權風險。
供應鏈波動:貿易戰導致進口封裝輔料(如銀漿、陶瓷基板)價格上漲20%-30%。
定義:產業升級的主要障礙與破局方向。
挑戰:
技術迭代:第三代寬禁帶半導體(如氧化鎵)可能顛覆SiC現有優勢,需持續研發投入。
標準缺失:國內尚未建立統一的SiC封裝可靠性測試標準,導致產品認證周期長(平均18個月)。
機遇:
替代空間:國內IGBT進口替代率已達40%,SiC有望復制路徑,2025年國產替代率目標超30%。
新興市場:數據中心電源、氫能電解槽等新場景涌現,預計2025年帶來20億美元新增需求。
戰略價值:SiC封裝是新能源裝備國產化的“咽喉”,直接決定我國在全球功率半導體競爭中的話語權。
市場爆發:2025年國內SiC封裝市場規模將突破300億元,新能源汽車和光伏是核心增長極。
技術突圍:封裝良率已達國際水平,但高端設備與材料仍需進口,建議加大設備國產化投資。
競爭焦點:車規級封裝是“必爭之地”,國內企業需通過綁定車企(如比亞迪、理想)快速迭代驗證。
風險提示:貿易戰加劇供應鏈波動,建議構建“芯片-封裝-測試”本地化產業鏈集群(如長三角半導體產業園)。
功率SiC芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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