一、環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式：

環(huán)氧塑封器件開(kāi)封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開(kāi)封和機(jī)械開(kāi)封兩種。

（1）手動(dòng)開(kāi)封：

發(fā)煙硝酸或發(fā)煙硝酸和發(fā)煙硫酸的混酸。125～150℃烘焙約一小時(shí)，驅(qū)除水汽（建議）；X射線透射技術(shù)確定芯片在器件中的位置和大小等離子刻蝕法（建議）；用機(jī)械法磨去頂蓋一部分或在芯片上方開(kāi)個(gè)圓孔，直到離芯片非常薄為止（建議）加熱發(fā)煙硝酸至60～70℃，用吸液管滴到黑膠表面，待反應(yīng)后用丙酮沖洗、烘干，重復(fù)上述步驟直至芯片完全暴露；去離子水超聲波振蕩清洗，最后甲醇超聲波振蕩清洗，直至表面干凈。手動(dòng)開(kāi)封的優(yōu)點(diǎn)是方便、便宜；缺點(diǎn)是小尺寸封裝、新型封裝類型開(kāi)封效果不理想，對(duì)操作員的經(jīng)驗(yàn)、技巧依賴性較高。

（2）自動(dòng)開(kāi)封：

環(huán)氧封裝噴射腐蝕（Jet Etch），即對(duì)器件進(jìn)行部分開(kāi)封，暴露芯片表面或背面，但保留芯片、管腳和內(nèi)引線和壓焊點(diǎn)的完整性及電學(xué)性能完整，為后續(xù)失效定位和檢測(cè)做準(zhǔn)備。Jet Etch工作原理為在器件的芯片位置處的環(huán)氧樹(shù)脂塑封料表面，用機(jī)械法磨去一部分，或在芯片上方開(kāi)一個(gè)與芯片面積相當(dāng)?shù)目祝钡诫x芯片非常薄為止。將器件倒置并使芯片位置中心正對(duì)Jet Etch機(jī)臺(tái)的出液孔，加熱的發(fā)煙硝酸或脫水/發(fā)煙硫酸，亦可為混酸，經(jīng)由內(nèi)置真空泵產(chǎn)生的負(fù)壓，通過(guò)小孔噴射到芯片上方的塑封料進(jìn)行局部腐蝕，直到芯片完全露出。加熱的發(fā)煙硝酸或脫水硫酸對(duì)塑料有較強(qiáng)的腐蝕作用，但對(duì)硅片，鋁金屬化層和內(nèi)引線的腐蝕作用緩慢，操作時(shí)合理設(shè)定液體流量、流速以及所用酸的選擇，綜合考慮封裝類型，芯片的大小、厚薄等因素，在成功暴露芯片時(shí)能保證器件電性性能的完整性，如圖1和圖2所示。

圖1、美國(guó) Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動(dòng)開(kāi)封機(jī)

圖3、Jet Etch開(kāi)封芯片表面SEM影像

二、芯片封裝清洗：合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。