觀整個功率器件市場，整體態勢是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中國臺灣擁有富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國則有上述代表。

功率半導體器件細分領域多， 行業整體增速較緩，大廠傾向于業內并購，通過布局新領域實現增長。 2016 年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，其在 2015 年初收購美國國際整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過三菱電機成為領先的功率模塊制造商。 德州儀器在 2015 年被英飛凌超越后，于 2016年退居全球第二。 安森美完成對飛兆半導體（Fairchild）的收購后，市場排名升至第三位，其在功率分立器件市場份額躍升 10%。 2016 年建廣資本以 27.5 億美元并購了 NXP 的標準器件部門，中國企業首次進入行業全球前十強。

針對功率器件的封裝結構，國內外研究機構和 企業在結構設計方面進行了大量的理論研究和開 發實踐，多種結構封裝設計理念被國內外研究機構提出并研究，一些結構設計方案已成功應用在商用功率器件上。 功率器件自身的屬性及其特殊的服役環境決定了封裝器件內部總是受到電場、熱以及應力等多種場效應相互耦合的綜合作用。功率器件的結 構設計，應首先要滿足電氣絕緣要求，在此基礎上兼顧結構設計對封裝散熱、芯片及封裝各部件間受 力等其他方面的影響。從器件散熱的角度，封裝結構設計應當遵循散熱路徑低熱阻、盡可能多散熱路徑和傳熱路徑上的接觸面積盡可能大的原則。這就要求在設計之初，就應考慮到封裝材料的選擇、散熱路徑的設計、散熱路徑上各部件接觸界面的面積等。但這些不可避免的增加了封裝設計和工藝實現的難度，一種功率器件的封裝實踐往往是考慮多種因素的折中。從目前國內外對于功率器件的研究和開發現狀來看，具備耐高溫、多散熱路徑和大面積連接的封裝特征是未來功率器件封裝的發展趨勢，也是滿足未來高壓、大功率器件工作性能要求的必然選擇。 

功率器件QFN清洗：

針對各類半導體不同的封裝工藝如功率器件QFN，為保證產品的可靠性，合明科技研發多款自主知識產權專利清洗劑，針對不同工藝及應用的半導體封裝需要的精密清洗要求，合明科技在水基清洗方面開發了較為完整的水基系列產品，精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下，合明科技的功率器件QFN清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分)，清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

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