埋入式封裝基板 

埋入式基板技術誕生于消費類電子產品輕薄短小的發展趨勢下。埋入式基板技術根據埋入的元器件種類，可大致分為無源元件埋入、有源器件埋入以及無源、有源混埋技術和Intel的嵌入式多核心互聯橋接（embeddedmulti-dieinterconnectbridge，EMIB）技術。相比于傳統的、將元器件全部焊接至PCB板表面的技術，元器件埋入基板技術[10]能夠縮小元件間互連距離，提高信號傳輸速度，減少信號串擾、噪聲和電磁干擾，提升電性能，降低模塊大小，提高模塊集成度，節省基板外層空間，提升器件連接的機械強度。對于實現高性能、高要求、小型化、薄型化的便攜式電子設備具有非常重要的意義。

1 無源元件埋入基板技術 

無源元件埋入基板可大致分為平面埋入和分立式埋入兩種。平面埋入[10]是使用電阻、電容材料通過壓合、圖形轉移、化學蝕刻等方法，在絕緣基材上制作相應的電阻、電容圖形。分立式埋入則是直接將超小尺寸無源器件埋入封裝基板。無源器件埋入式基板誕生于20世紀70年代，最初無源器件埋入基板的實現基于低溫共燒陶瓷基板技術，之后，得益于較低的成本和較簡單的工藝，有機基板的無源元件埋入得到了快速發展。目前，有機基板埋入無源器件在國內外多家公司已實現量產，如IBM、Nortel、深南電路等。

 2 有源器件埋入基板技術

 有源元件埋入技術的概念最早在1960年被提出，Intel的無凸點積層多層法（bumplessbuild-uplayer，BBUL）技術的誕生標志著有源器件埋入基板技術的首次實現。按照芯片埋入的制程先后順序，有源器件埋入基板技術可分為芯片先置型（chip-first）埋入技術和芯片后置型（chip-last）埋入技術。

芯片先置型埋入技術先將芯片埋入有機絕緣介質中，之后再制作電路圖形以實現信號傳輸和電源供應。HUT提出的集成模塊埋入基板（integratedmoduleboard，IMB）技術和IZM以及柏林工業大學共同提出的聚合物芯片埋入（chip-in-polymer）技術都屬于芯片先置型埋入技術，這兩種技術均可同時實現有源和無源元器件的埋入。圖4是IMB技術的一個模型，將芯片放置在基板上預先制作好的芯片槽里，使用樹脂將芯片塑封后，打孔、制作電路圖形以實現互連。圖5是chip-in-polymer技術的模型，區別于IMB技術將芯片放置在預先制作好的凹槽內，chip-in-polymer技術是將裸芯片直接粘貼在基板上，使用樹脂包封芯片，再進行打孔、制作電路圖形以實現電氣互連。

芯片后置型埋入技術（chip-last）技術由佐治亞理工大學提出。圖6是芯片后置型埋入技術的一個模型，它先制作build-up基板，在制作好的基板上開槽并制作好電路圖形，將芯片放置在槽中，實現電氣連接后再使用樹脂填充芯片與槽體之間的間隙。

與芯片先置技術相比，chip-last技術埋入的芯片位于基板的最上層，可返工且散熱更好，埋入芯片后沒有其他基板增層工藝步驟，加工良率更高。但是芯片先置技術也有其優勢，芯片后置技術埋入芯片只能埋入一層芯片，且埋入芯片的基板表面無法再貼裝器件，因此芯片先置技術對基板空間縱向利用率較芯片后置技術更好。

芯片封裝基板的助焊劑清洗劑:

半導體芯片封裝過程中通常會使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料，這些輔料在焊接過程或多或少都會有部分殘留物，還包括制程中沾污的指印、汗液、角質和塵埃等污染物。同時，半導體組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標簽等相當脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料對清洗劑的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工藝解決方案，可在清洗芯片封裝基板的焊接殘留物和污垢的同時去除金屬界面高溫氧化膜，保障下一道工序的金屬界面結合強度；對芯片半導體基材、金屬材料擁有優良的材料兼容性，清洗后易于用水漂洗干凈。

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